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This article investigates the results of current-voltage measurements made at different temperatures on vacuum deposited ZnO/ CdS/Cu(In,Ga)Se2 and CdS/CdTe heterojunction solar cells. We propose that the current-voltage data of a typical CdS/CdTe solar cell can be analysed by tunnelling enhanced bulk and interface recombination which gives a quantitative description of the electronic loss mechanisms in the chalcopyrite based heterojunction solar cells. We show that the temperature dependence of the saturation current and the diode ideality factor of the CdS/CdTe device are well described by this model. Below 240 K, tunnelling enhanced recombination at junction interface is found to play a major role for recombination with activation and tunnelling energies as about 0.77 eV and E00 = 36 meV, respectively. The transport mechanism in ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 device appeared to be also dominated by interface recombination. This unexpected behaviour is attributed to the presence of Cu-rich and indium depleted thin layer which might possibly be formed on the absorber surface.

Titel:	Tunnelling enhanced recombination in polycrystalline CdS/CdTe and CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cells
Autor/in / Beteiligte Person:	BAYHAN, Habibe ; KAVASOGLU, A. Sertap
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 6, S. 991-996
Veröffentlichung:	Oxford: Elsevier Science, 2005
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 17 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Energie Energy Energie naturelle Natural energy Energie solaire Solar energy Conversion photovoltaïque Photovoltaic conversion Cellules solaires. Cellules photoélectrochimiques Solar cells. Photoelectrochemical cells Cadmium sulfure Cadmium sulfide Cadmio sulfuro Cadmium tellurure Cadmium tellurides Caractéristique courant tension Voltage current curve Característica corriente tensión Cellule solaire Solar cell Célula solar Chalcopyrite Calcopirita Composé binaire Binary compound Compuesto binario Composé quaternaire Quaternary compound Compuesto cuaternario Couche mince Thin film Capa fina Cuivre séléniure Copper selenides Diode Diodo Dispositif optoélectronique Optoelectronic device Dispositivo optoelectrónico Dépendance température Temperature dependence Effet tunnel Tunnel effect Efecto túnel Energie activation Activation energy Energía activación Gallium séléniure Gallium selenides Hétérojonction Heterojunction Heterounión Idéalité Ideality Idealidad Indium séléniure Indium selenides Recombinaison porteur charge Charge carrier recombination Recombinación portador carga Cd S Cd Te CdS CdTe Cu Ga In Se Cu(In,Ga)Se2 73.40.Lq CdTe CIGS Recombination Tunnelling
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Physics, Faculty of Art and Science, University of Mužla, 48000 Mužla, Turkey Rights: Copyright 2005 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Energy

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Tunnelling enhanced recombination in polycrystalline CdS/CdTe and CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cells