Einzeltreffer — DigiBib

A CMOS image sensor that focuses on very low illumination applications is described. The sensor uses a 0.35 μm 2-poly 4-metal standard CMOS process and is realized as a 64 x 64 array of 7.8 x 7.4 μm2 active pixels with a fill factor of 33%. The unit pixel contains 3 NMOSFETs and a gate-body tied PMOSFET photodetector. The image sensor features highly sensitive characteristics because of the photodetector which has a maximum photo-responsivity of 2.5 x 102 A/W, and a pixel configuration with a voltage gain of about 1.3 and a pixel sensitivity of 1.2 x 10 V/lx.s. Furthermore, this sensor has a well-defined output voltage at a very low illumination level of sub-10 lx, such as with a photo-sensitivity of 35 mV/lx without adjusting gain and integration time.

Titel:	A 64 x 64 CMOS active pixel sensor operative at a very low illumination level
Autor/in / Beteiligte Person:	PARK, Jae-Hyoun ; KIM, Hoon ; SEO, Sang-Ho ; SHIN, Jang-Kyoo
Link:	Full Text Finder (Volltext) View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Optical review, Jg. 12 (2005), Heft 3, S. 196-201
Veröffentlichung:	Berlin: Springer, 2005
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 11 ref
ISSN:	1340-6000 (print)
Schlagwort:	Optics Optique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines classiques de la physique (y compris les applications) Fundamental areas of phenomenology (including applications) Eléments, dispositifs, et systèmes optiques Optical elements, devices, and systems Capteurs, détecteurs pour imagerie Imaging detectors and sensors Sciences appliquees Applied sciences Electronique Electronics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Dispositifs optoélectroniques Optoelectronic devices Photodetectors (including infrared and CCD detectors) Appareil numérique Digital instrument Aparato numérico Capteur image CMOS CMOS image sensors Capteur image Image sensors Capteur optique Optical sensors Caractéristique courant tension IV characteristic Courant drain Drain current Corriente dren Etude expérimentale Experimental study Illumination Floodlighting Image numérique Digital image Imagen numérica Imageur Imager Intensité faible Low intensity Débil intensidad Photodétecteur Photodetectors Pixel Semiconducteur type n n type semiconductor Semiconducteur type p p type semiconductor Tension drain Drain voltage Tensión dren Transistor MOSFET MOSFET CMOS image sensor PMOSFET photodetector active pixel low illumination
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: NANO Scale Quantum Devices Research Center, Korea Electronics Technology Institute, #455-6 Masan-ri, Jinwi-myon, Pyoungteak, Kyunggi-do 451-865, Korea, Republic of ; Department of Electronics, Kyungpook National University, 1370 Sankyuk-dong, Buk-ku, Deagu 702-701, Korea, Republic of Rights: Copyright 2005 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics: optics

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A 64 x 64 CMOS active pixel sensor operative at a very low illumination level