Modelling of the 1T-Bulk capacitor-less DRAM cell with improved performances : The way to scaling

RANICA, R ; VILLARET, A ; et al.

In: 1st International Conference on Memory Technology and Design - ICMTD'05, Giens, May 21-24, 2005Solid-state electronics 49(11):1759-1766

Konferenz - print, 10 ref

Wie komme ich dran?

As capacitor-less DRAM cell appears to be an interesting candidate for future embedded memory generations, we paid particular attention to overall performance and scalability of the IT-Bulk concept. We have analysed this architecture through our analytical model. Then we have fabricated devices and we have measured the influence of different technological parameters: floating body doping level, gate length and gate oxide thickness. The IT-Bulk cell is demonstrated to be a promising candidate for eDRAM applications up to the 45 nm technological node.

Titel:	Modelling of the 1T-Bulk capacitor-less DRAM cell with improved performances : The way to scaling
Autor/in / Beteiligte Person:	RANICA, R ; VILLARET, A ; MALINGE, P ; CANDELIER, P ; MASSON, P ; BOUCHAKOUR, R ; MAZOYER, P ; SKOTNICKI, T
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	1st International Conference on Memory Technology and Design - ICMTD'05, Giens, May 21-24, 2005Solid-state electronics 49(11):1759-1766
Veröffentlichung:	Oxford: Elsevier Science, 2005
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Circuits intégrés par fonction (dont mémoires et processeurs) Integrated circuits by function (including memories and processors) Dispositifs diélectriques et dispositifs à base de verre et de solides amorphes Dielectric, amorphous and glass solid devices Stockage et lecture de l'information Storage and reproduction of information Mémoires de masse magnétiques et optiques Magnetic and optical mass memories Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Corps flottant Floating body Cuerpo flotante Dispositif à mémoire Memory devices Dopage Doping Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Extensibilité Scalability Estensibilidad Grille transistor Transistor gate Rejilla transistor Miniaturisation Miniaturization Miniaturización Modélisation Modeling Modelización Mémoire accès direct dynamique Dynamic random access memory Mémoire accès direct Random access memory Memoria acceso directo Méthode analytique Analytical method Método analítico Oxyde grille Gate oxide Oxido rejilla Système embarqué Embedded systems Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Circuit 1 transistor Single transistor circuit Circuit sans condensateur Capacitor less circuit DRAM Embedded memories Floating-body effect Scaled CMOS
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: ST Micivelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France ; L2MP UMR-CNRS 6137, IMT Technopole de Château Gombert, 13451 Marseille, France Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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