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High quality strained Si/SiGe substrates for CMOS and optical devices

WEBER, J ; NEBRICH, L ; et al.
In: Proceedings of the ninth european workshop on materials for advanced metallization 2005, 6-9 March 2005, Dresden, GermanyMicroelectronic engineering 82(3-4):215-220
Konferenz - print, 3 ref

Titel:
High quality strained Si/SiGe substrates for CMOS and optical devices
Autor/in / Beteiligte Person: WEBER, J ; NEBRICH, L ; BENSCH, F ; NEUMEIER, K ; VOGG, G ; WIELAND, R ; BONFERT, D ; RAMM, P
Link:
Quelle: Proceedings of the ninth european workshop on materials for advanced metallization 2005, 6-9 March 2005, Dresden, GermanyMicroelectronic engineering 82(3-4):215-220
Veröffentlichung: Amsterdam: Elsevier Science, 2005
Medientyp: Konferenz
Umfang: print, 3 ref
ISSN: 0167-9317 (print)
Schlagwort:
  • Electronics
  • Electronique
  • Sciences exactes et technologie
  • Exact sciences and technology
  • Sciences appliquees
  • Applied sciences
  • Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide
  • Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
  • Diodes
  • Transistors
  • Circuits intégrés
  • Integrated circuits
  • Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais
  • Design. Technologies. Operation analysis. Testing
  • Fabrication microélectronique (technologie des matériaux et des surfaces)
  • Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology)
  • Alliage semiconducteur
  • Semiconductor alloys
  • Basse pression
  • Low pressure
  • Baja presión
  • Couche tampon
  • Buffer layer
  • Capa tampón
  • Courant fuite
  • Leakage current
  • Corriente escape
  • Diode couche intrinsèque
  • p i n diode
  • Diodo capa intrínseca
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  • Epitaxy
  • Epitaxia
  • Fabrication microélectronique
  • Microelectronic fabrication
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  • Fonction réponse
  • Response function
  • Función respuesta
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  • Electrical measurement
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  • Relajación
  • Technologie MOS complémentaire
  • Complementary MOS technology
  • Tecnología MOS complementario
  • Technologie NMOS
  • NMOS technology
  • Tecnología NMOS
  • Technologie PMOS
  • PMOS technology
  • Tecnología PMOS
  • Transistor MOS
  • MOS transistor
  • CMOS
  • Enhanced mobility
  • PIN diode
  • SiGe
  • Strained Silicon
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: PASCAL Archive
  • Sprachen: English
  • Original Material: INIST-CNRS
  • Document Type: Conference Paper
  • File Description: text
  • Language: English
  • Author Affiliations: Fraunhofer-Institute for Reliability and Microiniegration, Munich Division, Hansastrasse 27d, 80686 Munich, Germany
  • Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
  • Notes: Electronics

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