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GaAs epitaxial layers of high structural quality have been realised from Ga-As-Bi melt using liquid-phase epitaxy (LPE). LPE grown GaAs epitaxial layer using bismuth solvent on GaAs substrate has been found to be of good structural perfection as compared to layers using gallium solvent. The temperature-dependent PL spectra of GaAs layer, grown from Ga + Bi mixed solvent has shown that the use of bismuth does not change the band energy. ECV depth profile of heavily zinc-doped epitaxial layer shows uniform doping in the GaAs layer grown using gallium solvent as compared to the layer grown using bismuth solvent.

Titel:	Effect of bismuth on liquid-phase epitaxy (LPE) grown GaAs layer using Ga-As-Bi melt
Autor/in / Beteiligte Person:	JEGANATHAN, K ; SARAVANAN, S ; RAMASAMY, P ; KUMAR, J
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Journal of crystal growth, Jg. 200 (1999), Heft 3-4, S. 341-347
Veröffentlichung:	Amsterdam: Elsevier, 1999
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 25 ref
ISSN:	0022-0248 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Geology Géologie Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Epitaxie en phase liquide; dépôt en phase liquide (phases fondues, solutions et couches superficielles sur des liquides) Liquid phase epitaxy; deposition from liquid phases (melts, solutions, and surface layers on liquids) Composé minéral Inorganic compounds Bismuth Composé binaire Binary compounds Couche épitaxique Epitaxial layers Croissance cristalline en phase fondue Crystal growth from melts Diffraction RX XRD Effet solvant Solvent effects Epitaxie phase liquide LPE Etude comparative Comparative study Estudio comparativo Etude expérimentale Experimental study Gallium arséniure Gallium arsenides Gallium Haute résolution High-resolution methods Homoépitaxie Homoepitaxy Homoepitaxia Matériau semiconducteur Semiconductor materials Perfection cristalline Crystal perfection Perfección cristalina Photoluminescence Semiconducteur III-V III-V semiconductors As Ga GaAs
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600 025, India ; Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan Rights: Copyright 1999 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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Effect of bismuth on liquid-phase epitaxy (LPE) grown GaAs layer using Ga-As-Bi melt