Interconnect capacitance characterization using charge-injection-induced error-free (CIEF) charge-based capacitance measurement (CBCM)

CHANG, Yao-Wen ; CHANG, Hsin-Wen ; et al.

In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing 19(1):50-56; Jg. 19 (2006) 1, S. 50-56

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In this work, we describe a novel operation of charge-injection-induced error-free charge-based capacitance measurement (CIEF CBCM) method. This method has the simplest test structure among various CBCM methods by using only one N/PMOS pair. CIEF CBCM has the advantage of being free from charge-injection-induced errors and of efficient layout area usage. It is very suitable for industrial applications for large amounts of accurate capacitance characterizations with a limited layout area. Besides, CIEF CBCM is also implemented for investigating the impact of floating dummy metal fills on interconnect capacitance directly from silicon data.

Titel:	Interconnect capacitance characterization using charge-injection-induced error-free (CIEF) charge-based capacitance measurement (CBCM)
Autor/in / Beteiligte Person:	CHANG, Yao-Wen ; CHANG, Hsin-Wen ; LU, Tao-Cheng ; KING, Ya-Chin ; WENCHI, TING ; KU, Yen-Hui Joseph ; LU, Chih-Yuan
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Quelle:	IEEE transactions on semiconductor manufacturing 19(1):50-56; Jg. 19 (2006) 1, S. 50-56
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 13 ref
ISSN:	0894-6507 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Essais, mesure, bruit et fiabilité Testing, measurement, noise and reliability Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Appareillage essai Testing equipment Aparato ensayo Application industrielle Industrial application Aplicación industrial Capacité électrique Capacitance Capacitancia Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Interconnexion Interconnection Interconexión Mesure charge électrique Charge measurement Méthode mesure Measurement method Método medida Technologie PMOS PMOS technology Tecnología PMOS capacitance aireciiy from silicon data. Capacitance measurement charge injection charge-based capacitance measurement (CBCM) interconnect capacitance
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Macronix International Co., Ltd. no. 16, Hsinchu 300, Tawain, Province of China ; Institute of Electronics Eng., National Tsing-Hua University, Hsinchu 300, Tawain, Province of China Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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