Comparison of contemporary CMOS ring oscillators

BADILLO, Dean A ; KIAEI, Sayfe

In: 2004 IEEE radio frequency integrated circuits (RFIC) symposium (Fort Worth Convention Center, June 6-8, 2004) :281-284

Konferenz - print, 5 ref 1

Wie komme ich dran?

This work presents measured data and analysis accurately comparing three, four-stage ring oscillators. The delay cell topologies considered here include the, linear source coupled, and two saturating types. Each oscillator is fabricated concurrently in a 1.8V, 18μm CMOS process and is characterized for phase noise, power consumption and tuning range.

Titel:	Comparison of contemporary CMOS ring oscillators
Autor/in / Beteiligte Person:	BADILLO, Dean A ; KIAEI, Sayfe
Link:	View record from PASCAL Archive
Quelle:	2004 IEEE radio frequency integrated circuits (RFIC) symposium (Fort Worth Convention Center, June 6-8, 2004) :281-284
Veröffentlichung:	Piscataway NJ: IEEE, 2004
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 5 ref 1
Schlagwort:	Electronics Electronique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Oscillateurs, résonateurs, synthétiseurs Oscillators, resonators, synthetizers Analyse donnée Data analysis Análisis datos Bruit phase Phase noise Ruido fase Consommation énergie électrique Power consumption Etude comparative Comparative study Estudio comparativo Oscillateur anneau Ring oscillator Oscilador anillo Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Temps retard Delay time Tiempo retardo
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Motorola, Semiconductor Products Sector, 2100E. Elliot Rd, Tempe, AZ 85284, United States ; Connection One, Arizona State University, Goldwater Center, Rm 411, Box 875706, Tempe, Arizona, 85287-5706, United States Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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