Novel 2-D RESURF LDMOSFET in 0.6μm CMOS technology for power ICs

HOLLAND, P. M ; STARKE, T. K. H ; et al.

In: 2004 24th internationcal conference on microelectronics (Nis, Serbia and Montenegro, 16-19 May 20), 2004

Konferenz - print, 10 ref 2

A 0.6um CMOS process was adapted to incorporate LDMOS transistors for Power Integrated Circuit Applications. The design was realised by adding only three additional ion implants process steps and one extra masking process step providing a cost effective approach. The design was optimised prior to manufacture by the Avanti TCAD simulation tool. Physical results show good agreement with the simulated device and display 2-D RESURF action.

Titel:	Novel 2-D RESURF LDMOSFET in 0.6μm CMOS technology for power ICs
Autor/in / Beteiligte Person:	HOLLAND, P. M ; STARKE, T. K. H ; HUSSAIN, S ; JAMAL, W. M ; MAWBY, P. A ; IGIC, P. M
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	2004 24th internationcal conference on microelectronics (Nis, Serbia and Montenegro, 16-19 May 20), 2004
Veröffentlichung:	Piscataway NJ: IEEE, 2004
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 10 ref 2
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Fabrication microélectronique (technologie des matériaux et des surfaces) Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Affichage Display Champ superficiel Surface field Campo superficial Circuit intégré puissance Power integrated circuits Conception assistée Computer aided design Concepción asistida Conception circuit Circuit design Diseño circuito Conception optimale Optimal design Concepción optimal Diffusion latérale Lateral diffusion Difusión lateral Equipement affichage Display equipment Equipo visualización Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Implantation ion Ion implantation Implantación ión Masquage Masking Enmascaramiento Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transistor MOS MOS transistor Transistor MOSFET MOSFET
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electrical Engineering, University of Wales Swansea, Singleton Park, Swansea SA2 8PP, United Kingdom Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.