Expectation for Cat-CVD in ULSI technology and business trend

AKASAKA, Yoichi

In: Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004Thin solid films 501(1-2):15-20; Jg. 501 (2006) 1-2, S. 15-20

Konferenz - print, 7 ref

Wie komme ich dran?

The ULSI technology has still been following Moor's Law in the sub-100 nm era, although several challenging issues must be solved in a practical environment. The first critical issue is, of course, how to make a sub-100 nm fine pattern. The second is to maintain the improvement of performance by lowering the RC delay, keeping a higher drivability of transistors, and suppressing the total chip power consumption as well as stand by power. The third issue is related to reliability and cost. Reliability relates to all other performance issues, but especially, high-k gate insulator integrity, interconnect reliability, thermal budget and process damage are major concerns. A discussion regarding the promising application of Cat-CVD (also called Hot-wire CVD) for solving these ULSI technology issues, such as low temperature, high-quality nitride film and hydrogen radical cleaning, is made in this paper.

Titel:	Expectation for Cat-CVD in ULSI technology and business trend
Autor/in / Beteiligte Person:	AKASAKA, Yoichi
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004Thin solid films 501(1-2):15-20; Jg. 501 (2006) 1-2, S. 15-20
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 7 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Composé minéral Inorganic compounds Article synthèse Reviews Basse température Low temperature Baja temperatura Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Composé binaire Binary compounds Consommation énergie électrique Power consumption Couche mince Thin films Cristallisation Crystallization Diélectrique basse permittivité Low k dielectric Dieléctrico baja constante dieléctrica Dépôt chimique phase vapeur CVD Fil chaud Hot wire Hilo caliente Intégration ULSI ULSI Performance Silicium nitrure Silicon nitrides N Si SiN Ashing Cat-CVD LSI Silicon nitride
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: School of Engineering Science, Osaka University, 1-3, Machikaneyama, Toyonaka, Osaka, Japan Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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