Internal stress in Cat-CVD microcrystalline Si:H thin films

SAHU, Laxmi ; KALE, Nitin ; et al.

In: Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004Thin solid films 501(1-2):117-120; Jg. 501 (2006) 1-2, S. 117-120

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Wie komme ich dran?

Stress in the Cat-CVD μc-Si:H films is of concern for the performance of the flexible solar cells and MEMS devices. We report the results of our initial studies on stress determination of the HWCVD deposited μc-Si:H films and its variation with thermal treatment. From the analysis of the stress values of the intrinsic μc-Si:H films it is seen (at least in the preliminary results obtained) that films deposited around 250 °C show a lower stress which could be due to the better network and optimum hydrogen content in the films. Secondly the doped films show an order of magnitude larger internal stress compared to the intrinsic films while the grain size is comparable. However upon annealing the stress minimizes and we get films with very low stress.

Titel:	Internal stress in Cat-CVD microcrystalline Si:H thin films
Autor/in / Beteiligte Person:	SAHU, Laxmi ; KALE, Nitin ; KULKAMI, Nilesh ; PINTO, R ; DUSANE, R. O ; SCHRÖDER, B
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004Thin solid films 501(1-2):117-120; Jg. 501 (2006) 1-2, S. 117-120
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 8 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Composé minéral Inorganic compounds Cellule solaire Solar cells Contrainte interne Internal stresses Contrainte résiduelle Residual stresses Couche mince Thin films Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Dispositif microélectromécanique Microelectromechanical device Dispositivo microelectromecánico Dopage Doping Dépôt chimique phase vapeur CVD Effet contrainte Stress effects Etude expérimentale Experimental study Fil chaud Hot wire Hilo caliente Grosseur grain Grain size Microcristal Microcrystal Performance Recuit Annealing Semiconducteur Semiconductor materials Silicium Silicon Si:H Substrat Si Residual stress X-ray diffraction
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Metallurgical Engineering and Materials Science, Indian Institute of Technology, Bombay, Mumbai-400076, India ; Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Bombay, Mumbai-400076, India ; Tata Institute of Fundamental Research, Colaba, Mumbai-400005, India ; Department of Physics/Center for Optical Technologies and Laser Controlled processes, University of Kaiserslautem, Kaiserslautern, Germany Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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