A layer-by-layer Cat-CVD of conformal and stoichiometric silicon nitride with in-situ H2 post-treatment

KITAZOE, Makiko ; OSONO, Shuuji ; et al.

In: Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004Thin solid films 501(1-2):160-163; Jg. 501 (2006) 1-2, S. 160-163

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An impact of the layer-by-layer deposition method on forming the stoichiometric and conformal Cat-CVD SiN is presented. A Si-rich but conformal Cat-SiN thin film deposited with an NH3-deficient gas mixture of SiH4/NH3/H2 is used as the unit layer for the layer-by-layer Cat-CVD, with each layer followed by in-situ post-treatment in an NH3- and/or H2 ambient to cure the composition. To retrieve the stoichiometry, the in-situ Cat-H2 treatment is of critical importance rather than the direct post-nitridation by the in-situ Cat-NH3 treatment. The film formation recipe properly engineered with respect to the thickness of unit layer and to the content of post-treatment gives a layered thick conformal Cat-SiN film having the stoichiometry, with the refractive index, being close to 2.000 and below.

Titel:	A layer-by-layer Cat-CVD of conformal and stoichiometric silicon nitride with in-situ H2 post-treatment
Autor/in / Beteiligte Person:	KITAZOE, Makiko ; OSONO, Shuuji ; ITOH, Hiromi ; ASARI, Shin ; SAITO, Kazuya ; HAYAMA, Masahiro
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004Thin solid films 501(1-2):160-163; Jg. 501 (2006) 1-2, S. 160-163
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 3 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation Propriétés optiques des matériaux massifs et des couches minces Optical properties of bulk materials and thin films Constantes optiques: indice de réfraction; constante diélectrique complexe; coefficients d'absorption, de réflexion et de transmission; émissivité Optical constants: refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Composé minéral Inorganic compounds Composé binaire Binary compounds Conformation Conformación Couche mince Thin films Cristallisation Crystallization Densité courant Current density Dépôt chimique phase vapeur CVD Epaisseur Thickness Etude expérimentale Experimental study Fil chaud Hot wire Hilo caliente Indice réfraction Refractive index Semiconducteur Semiconductor materials Silicium nitrure Silicon nitrides Stoechiométrie Stoichiometry Structure lamellaire Lamellar structure Estructura lamelar Méthode couche par couche Layer-by-layer method N Si SiN Substrat Si Cat-CVD (hot-wire CVD) H radical Layer-by-layer CVD Silicon nitride
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute for Super Materials, ULVAC, Inc., 2500 Hagizono, Chigasaki City, Kanagawa 253-8543, Japan Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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