Low temperature amorphous and nanocrystalline silicon thin film transistors deposited by Hot-Wire CVD on glass substrate

FONRODONA, M ; SOLER, D ; et al.

In: Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004Thin solid films 501(1-2):303-306; Jg. 501 (2006) 1-2, S. 303-306

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Amorphous and nanocrystalline silicon films obtained by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition have been incorporated as active layers in n-type coplanar top gate thin film transistors deposited on glass substrates covered with SiO2. Amorphous silicon devices exhibited mobility values of 1.3 cm2 V-1 s-1, which are very high taking into account the amorphous nature of the material. Nanocrystalline transistors presented mobility values as high as 11.5 cm2 V-1 s-1 and resulted in low threshold voltage shift (∼0.5 V).

Titel:	Low temperature amorphous and nanocrystalline silicon thin film transistors deposited by Hot-Wire CVD on glass substrate
Autor/in / Beteiligte Person:	FONRODONA, M ; SOLER, D ; ESCARRE, J ; VILLAR, F ; BERTOMEU, J ; ANDREU, J ; SABOUNDJI, A ; COULON, N ; MOHAMMED-BRAHIM, T
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004Thin solid films 501(1-2):303-306; Jg. 501 (2006) 1-2, S. 303-306
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 8 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Nanomatériaux et nanostructures : fabrication et caractèrisation Nanoscale materials and structures: fabrication and characterization Matériaux nanocristallins Nanocrystalline materials Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Composé minéral Inorganic compounds Basse température Low temperature Baja temperatura Caractéristique courant tension IV characteristic Cellule solaire Solar cells Cristallisation Crystallization Dépôt chimique phase vapeur CVD Etat amorphe Amorphous state Etude expérimentale Experimental study Fil chaud Hot wire Hilo caliente Mobilité porteur charge Carrier mobility Nanocristal Nanocrystal Nanomatériau Nanostructured materials Semiconducteur Semiconductor materials Silicium Silicon Spectre Raman Raman spectra Transistor couche mince Thin film transistors Si Substrat verre Amorphous and nanocrystalline silicon Hot-Wire CVD Thin film transistor
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: CeRMAE-Departament de Física Aplicada i Ôptica, Universitat de Barcelona, Av. Diagonal 647, 08028 Barcelona, Spain ; Groupe de Microélectronique, IETR UMR-CNRS 6164, Université de Rennes 1, 35042 Rennes, France Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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