Dry etching of LaNiO3 thin films using inductively coupled plasma

KIM, Gwan-Ha ; KIM, Dong-Pyo ; et al.

In: Proceedings of the joint meeting of the 7th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and the 17th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials), Fukuoka, Japan, June 29-July 2, 2004Thin solid films 506-07:217-221; Jg. 506-07 (2006) S. 217-221

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The etching characteristics of LaNiO3 (LNO) thin films and SiO2in Cl2/Ar plasma were investigated. LNO etch rates decreased with increasing Cl2 fraction in Ar plasma and the working pressure. Langmuir probe measurement showed a noticeable influence of Cl2/Ar mixing ratio on electron temperature, electron density, and ion current density. The modeling of volume kinetics for charged particles and OES measurements for neutral atoms indicated monotonous changes of both densities and fluxes of active species such as chlorine atoms and positive ions. The LNO etch rate behavior may be explained by physical mechanisms.

Titel:	Dry etching of LaNiO3 thin films using inductively coupled plasma
Autor/in / Beteiligte Person:	KIM, Gwan-Ha ; KIM, Dong-Pyo ; KIM, Kyoung-Tae ; KIM, Chang-Il ; LEE, Cheol-In ; KIM, Tae-Hyung
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the joint meeting of the 7th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and the 17th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials), Fukuoka, Japan, June 29-July 2, 2004Thin solid films 506-07:217-221; Jg. 506-07 (2006) S. 217-221
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 18 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Physique des gaz, des plasmas et des decharges electriques Physics of gases, plasmas and electric discharges Physique des plasmas et décharges électriques Physics of plasmas and electric discharges Applications des plasmas Plasma applications Gravure et nettoyage Etching and cleaning Composé minéral Inorganic compounds Lanthanide composé Rare earth compounds Métal transition composé Transition element compounds Cinétique Kinetics Composé ternaire Ternary compounds Couche mince Thin films Densité courant Current density Densité électron Electron density Etude expérimentale Experimental study Gravure plasma Plasma etching Grabado plasma Lanthane oxyde Lanthanum oxides Microscopie force atomique Atomic force microscopy Modélisation Modelling Nickel oxyde Nickel oxides Perovskite Plasma couplé inductivement Inductively coupled plasma Réseau cubique Cubic lattices Sonde Langmuir Langmuir probes Température électron Electron temperature La Ni O LaNiO3 Spectroscopie émission optique Optical emission spectroscopy Substrat Si Etching Langmuir probe OES
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, 221, Huksuk-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, Korea, Republic of ; Department of Electrical Engineering, Ansan College of Technology, Ansan City, Gyeonggi-Do, 425-792, Korea, Republic of ; Department of Electrical Engineering, Yeojoo Technical College, 454-5, Gyo-Ri, Yeojoo-Eup, Yeojoo-Gun, Gyeonggi-Do, 469-800, Korea, Republic of Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics of gases, plasmas and electric discharges

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