MBE growth and properties of Cr-doped ZnTe on GaAs(001)

HOU, X. J ; TEO, K. L ; et al.

In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium D: Magnetic nanomaterials and devices, Singapore, July 3-8, 2005Thin solid films 505(1-2):126-128; Jg. 505 (2006) 1-2, S. 126-128

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Wie komme ich dran?

Cr-doped ZnTe diluted magnetic semiconductor thin films were grown on semi-insulating GaAs [001] substrates at low temperature by solid-source molecular-beam epitaxy. Zn1-xCrxTe samples with Cr concentrations x=0.026 and x=0.141 were prepared. The magnetization versus magnetic field (M-H) measurement showed a clear hysteresis loop at low temperature for these samples. For higher Cr doping with nominal Cr concentration of x>0.18, we obtained a Curie temperature of 365 K; the highest reported so far for thin film sample. However, this strong ferromagnetic momentum could possibly be due to Cr1-δTe precipitate in the Cr-doped ZnTe system.

Titel:	MBE growth and properties of Cr-doped ZnTe on GaAs(001)
Autor/in / Beteiligte Person:	HOU, X. J ; TEO, K. L ; SREENIVASAN, M. G ; LIEW, T ; CHONG, T. C
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium D: Magnetic nanomaterials and devices, Singapore, July 3-8, 2005Thin solid films 505(1-2):126-128; Jg. 505 (2006) 1-2, S. 126-128
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 17 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Structure des liquides et des solides; cristallographie Structure of solids and liquids; crystallography Défauts et impuretés dans les cristaux; microstructure Defects and impurities in crystals; microstructure Dopage et implantation d'impuretés dans les composés iii-v et ii-vi Doping and impurity implantation in iii-v and ii-vi semiconductors Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés et matériaux magnétiques Magnetic properties and materials Etudes de matériaux magnétiques particuliers Studies of specific magnetic materials Semiconducteurs magnétiques Magnetic semiconductors Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Epitaxie par faisceaux chimiques, ioniques, atomiques et moléculaires Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy Composé minéral Inorganic compounds Métal transition composé Transition element compounds Addition chrome Chromium additions Aimantation Magnetization Composé binaire Binary compounds Couche mince Thin films Couche tampon Buffer layer Capa tampón Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Dopage Doping Effet champ magnétique Magnetic field effects Epitaxie jet moléculaire Molecular beam epitaxy Etude expérimentale Experimental study Matériau ferromagnétique Ferromagnetic materials Moment magnétique Magnetic moments Méthode SSMBE Solid source molecular beam epitaxy Método SSMBE Point Curie Curie point RHEED Semiconducteur II-VI II-VI semiconductors Semiconducteur magnétique Zinc tellurure Zinc tellurides Substrat GaAs Te Zn ZnTe Curie temperature Diluted magnetic semiconductor MBE Zn1-xCrxTe
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Data Storage Institute, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608, Singapore ; Information Storage Materials Laboratory, Electrical and Computer Engineering Department, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576, Singapore Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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