Einzeltreffer — DigiBib

Schottky diode microwave pulse power detectors were fabricated by both a CMOS process and a post-CMOS process. Focused ion beam (FIB) milling and ion-induced deposition were used for the post-CMOS fabrication. Fabricated detectors were tested under RF direct injection and RF radiation. CMOS fabricated Schotty diode power detectors had 820 ns pulse response time, 36 dBm dynamic range, and began to detect -21 dBm injected input power level. FIB fabricated Schottky diode power detectors with large contact area had 6 μs pulse response time, 25 dBm dynamic range, and began to detect -15 dBm injected input power level, and Schottky diode with small contact area had 100 ns pulse response time, 16 dBm dynamic range, and began to detect - 1 dBm injected input power level. The main factor determining pulse response time and dynamic range was the area of the Schottky contact of diodes.

Titel:	CMOS and post-CMOS on-chip microwave pulse power detectors
Autor/in / Beteiligte Person:	JEON, Woochul ; MELNGAILIS, John
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	ISDRS 2005Solid-state electronics 50(6):951-958; Jg. 50 (2006) 6, S. 951-958
Veröffentlichung:	Oxford: Elsevier Science, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 13 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Diodes Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs hyperfréquences et à ondes submillimétriques, dispositifs à transfert d'électrons Microwave and submillimeter wave devices, electron transfer devices Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits hyperfréquences, circuits intégrés hyperfréquences, lignes de transmission hyperfréquences, circuits à ondes submillimétriques Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits Barrière Schottky Schottky barrier Barrera Schottky Capteur mesure Measurement sensor Captador medida Caractéristique dynamique Dynamic characteristic Característica dinámica Contact électrique Electric contact Contacto eléctrico Convertisseur tension Voltage converter Convertidor voltaje Diode barrière Schottky Schottky barrier diode Diodo barrera Schottky Diode hyperfréquence Microwave diode Diodo hiperfrecuencia Diode puissance Power diode Diodo potencia Détecteur hyperfréquence Microwave detectors Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Gravure faisceau ionique Ion beam etching Grabado haz iónico Pompage charge Charge pumping Bombeo carga Programme SPICE SPICE Réponse impulsion Pulse response Respuesta impulsión Réponse temporelle Time response Respuesta temporal Signal entrée Input signal Señal entrada Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie faisceau ion focalisé Focused ion beam technology 0707D 0757K CMOS Charge pump FIB ion induced deposition FIB milling RF pulse power detector Schottky diode Spice
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute for Research in Electronics and Applied Physics, University of Maryland, 1202u, IREAP, Bldg# 223, College Park, MD 20742, United States Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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CMOS and post-CMOS on-chip microwave pulse power detectors