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Epitaxial gadolinium oxide (Gd2O3) high-k dielectrics are investigated with respect to their CMOS compatibility in metal oxide semiconductor (MOS) capacitors and field effect transistors (MOSFETs). MOS capacitors with various gate electrodes are exposed to typical CMOS process steps and evaluated with capacitance voltage (CV) and current voltage (JV) measurements. The effects of high temperature processes on thermal stabilities of channel/dielectric and dielectric/gate electrode interfaces is studied in detail. A feasible CMOS process with epitaxial gate oxides and metal gate electrodes is identified and demonstrated by a fully functional n-MOSFET for the first time.

Titel:	CMOS integration of epitaxial Gd2O3 high-k gate dielectrics
Autor/in / Beteiligte Person:	GOTTLOB, H. D. B ; ECHTERMEYER, T ; OSTEN, H.-J ; FISSEL, A ; MOLLENHAUER, T ; EFAVI, J. K ; SCHMIDT, M ; WAHLBRINK, T ; LEMME, M. C ; KURZ, H ; CZERNOHORSKY, M ; BUGIEL, E
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	ISDRS 2005Solid-state electronics 50(6):979-985; Jg. 50 (2006) 6, S. 979-985
Veröffentlichung:	Oxford: Elsevier Science, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 14 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs diélectriques et dispositifs à base de verre et de solides amorphes Dielectric, amorphous and glass solid devices Caractéristique capacité tension Voltage capacity curve Característica capacidad tensión Caractéristique courant tension Voltage current curve Característica corriente tensión Condensateur MOS MOS capacitor Capacidad MOS Diélectrique permittivité élevée High k dielectric Dieléctrico alta constante dieléctrica Effet température Temperature effect Efecto temperatura Gadolinium oxyde Gadolinium oxides Grille transistor Transistor gate Rejilla transistor Oxyde grille Gate oxide Oxido rejilla Stabilité thermique Thermal stability Estabilidad térmica Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOSFET MOSFET Transistor effet champ Field effect transistor Transistor efecto campo Gd O Gd2O3 CMOS integration Epitaxial gate dielectric Gadolinium oxide (Gd2O3) High-k gate dielectric Metal gate electrode Silicon on insulator (SOI)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Advanced Microelectronic Center Aachen (AMICA), AMO GmbH, Huyskensweg 25, 52074 Aachen, Germany ; Institute for Semiconductor Devices and Electronic Materials, University of Hannover, Appelstr. 11A, 30167 Hannover, Germany ; Technology Laboratory, University of Hannover, Schneiderberg 32, 30167 Hannover, Germany Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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CMOS integration of epitaxial Gd2O3 high-k gate dielectrics