Degradation of static and dynamic behavior of CMOS inverters during constant and pulsed voltage stress

GERARDIN, S ; GRIFFONI, A ; et al.

In: 17th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2006), Wuppertal, Germany, 3-6 October 2006Microelectronics and reliability 46(9-11):1669-1672

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Wie komme ich dran?

We study the degradation of CMOS inverters under DC and pulsed stress conditions before the occurrence of the gate oxide breakdown. Our results show an overall speed reduction, caused by the transistor drain current drop, and a leftward shift of the inverter voltage transfer characteristics, due to a larger degradation of the PMOSFET as compared to the NMOSFET. We attribute this behavior to the build-up of defects/trapped charge featuring a different kinetics in P- and N-type MOSFETs.

Titel:	Degradation of static and dynamic behavior of CMOS inverters during constant and pulsed voltage stress
Autor/in / Beteiligte Person:	GERARDIN, S ; GRIFFONI, A ; CESTER, A ; PACCAGNELLA, A ; GHIDINI, G
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	17th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2006), Wuppertal, Germany, 3-6 October 2006Microelectronics and reliability 46(9-11):1669-1672
Veröffentlichung:	Oxford: Elsevier, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 6 ref
ISSN:	0026-2714 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Appareillage électronique et fabrication. Composants passifs, circuits imprimés, connectique Electronic equipment and fabrication. Passive components, printed wiring boards, connectics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Convertisseurs de signal Signal convertors Caractéristique dynamique Dynamic characteristic Característica dinámica Caractéristique statique Static characteristic Característica estática Caractéristique transfert Transfer characteristic Característica transferencia Contrainte électrique Electric stress Tensión eléctrica Convertisseur tension Voltage converter Convertidor voltaje Couche oxyde Oxide layer Capa óxido Courant drain Drain current Corriente dren Drain transistor Transistor drain Dren transistor Endommagement Damaging Deterioración Fiabilité Reliability Fiabilidad Grille transistor Transistor gate Rejilla transistor Onduleur Inverter Ondulador Oxyde grille Gate oxide Oxido rejilla Semiconducteur type n n type semiconductor Semiconductor tipo n Semiconducteur type p p type semiconductor Semiconductor tipo p Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie NMOS NMOS technology Tecnología NMOS Technologie PMOS PMOS technology Tecnología PMOS Transistor MOSFET MOSFET
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: DEI, Universitd di Padova, via Gradenigo 6/B, 35131, Padova, Italy ; ST Microelectronics, via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Italy Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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