Low dark current CMOS image sensor pixel with photodiode structure enclosed by P-well

HAN, S.-W ; YOON, E

In: Electronics Letters, Jg. 42 (2006), Heft 20, S. 1145-1146

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A low dark current CMOS image sensor pixel which can be easily implemented using a standard CMOS technology without any process modification is presented. Dark current is mainly generated from the interface region between the shallow trench isolation (STI) and the active region. The proposed pixel can reduce dark current by separating the STI region from a photodiode, using a simple layout modification to enclose the photodiode junction with the P-well. A test sensor array has been fabricated using 0.18 μm standard CMOS process and its performance characterised. The dark current of the proposed pixel has been measured as 0.93fA/pixel, which is by a factor of two smaller than that of the conventional design.

Titel:	Low dark current CMOS image sensor pixel with photodiode structure enclosed by P-well
Autor/in / Beteiligte Person:	HAN, S.-W ; YOON, E
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Zeitschrift:	Electronics Letters, Jg. 42 (2006), Heft 20, S. 1145-1146
Veröffentlichung:	London: Institution of Electrical Engineers, 2006
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 7 ref
ISSN:	0013-5194 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs optoélectroniques Optoelectronic devices Dispositifs à images Imaging devices Capteur image CMOS CMOS image sensors Courant obscurité Dark current Corriente obscuridad Dispositif optoélectronique Optoelectronic device Dispositivo optoelectrónico Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Photodiode Fotodiodo Région active Active region Región activa Réseau capteur Sensor array Red sensores Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie isolation Insulation technology Tecnología aislamiento Technologie tranchée Trench technology Tecnología trinchera
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electrical Engineering and Computer Science, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 373-1 Gusung-Dong, Yusung-Gu, Daejon 305-701, Korea, Republic of Rights: Copyright 2006 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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