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Behaviour of TFMS and CPW line on SOI substrate versus high temperature for RF applications

SI MOUSSA, M ; PAVAGEAU, C ; et al.
In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 11-12, S. 1822-1827
academicJournal - print, 15 ref

Titel:
Behaviour of TFMS and CPW line on SOI substrate versus high temperature for RF applications
Autor/in / Beteiligte Person: SI MOUSSA, M ; PAVAGEAU, C ; LEDERER, D ; PICHETA, L ; DANNEVILLE, F ; FEL, N ; RUSSAT, J ; RASKIN, J.-P ; VANHOENACKER-JANVIER, D
Link:
Zeitschrift: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 11-12, S. 1822-1827
Veröffentlichung: Oxford: Elsevier Science, 2006
Medientyp: academicJournal
Umfang: print, 15 ref
ISSN: 0038-1101 (print)
Schlagwort:
  • Electronics
  • Electronique
  • Sciences exactes et technologie
  • Exact sciences and technology
  • Sciences appliquees
  • Applied sciences
  • Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide
  • Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
  • Circuits intégrés
  • Integrated circuits
  • Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais
  • Design. Technologies. Operation analysis. Testing
  • Circuits électriques, optiques et optoélectroniques
  • Electric, optical and optoelectronic circuits
  • Propriétés des circuits
  • Circuit properties
  • Circuits hyperfréquences, circuits intégrés hyperfréquences, lignes de transmission hyperfréquences, circuits à ondes submillimétriques
  • Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits
  • Circuit MMIC
  • MMIC
  • Circuit intégré
  • Integrated circuit
  • Circuito integrado
  • Couche mince
  • Thin film
  • Capa fina
  • Dépendance fréquence
  • Frequency dependence
  • Effet température
  • Temperature effect
  • Efecto temperatura
  • Evaluation performance
  • Performance evaluation
  • Evaluación prestación
  • Guide onde coplanaire
  • Coplanar waveguides
  • Interconnexion
  • Interconnection
  • Interconexión
  • Ligne transmission
  • Transmission line
  • Línea transmisión
  • Réseau passif
  • Passive networks
  • Technologie MOS complémentaire
  • Complementary MOS technology
  • Tecnología MOS complementario
  • Technologie silicium sur isolant
  • Silicon on insulator technology
  • Tecnología silicio sobre aislante
  • CMOS
  • CPW
  • High-temperature effect
  • Silicon-on-insulator
  • Standard and high resistivity
  • TFMS
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: PASCAL Archive
  • Sprachen: English
  • Original Material: INIST-CNRS
  • Document Type: Article
  • File Description: text
  • Language: English
  • Author Affiliations: EMIC, Microwave Laboratory of UCL. Place du Levant, 3, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium ; IEMN-VMR CNRS 8520, Clté Scientifique, 59652 Villeneuve d'Ascq, France ; CEA-DIF, BP 12, 91680 Bruyeres-le-Chatel, France
  • Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
  • Notes: Electronics

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