Einzeltreffer — DigiBib

A fully differential Doherty power amplifier (PA) is implemented in a 0.13-μm CMOS technology. The prototype achieves a maximum output power of +31.5 dBm with a peak power-added efficiency (PAE) of 36% (39% drain efficiency) with a GMSK modulated signal. The PAE is kept above 18% over a 10 dB range of output power. With a GSM/EDGE input signal, the measured peak output power while still meeting the GSM/EDGE mask and error vector magnitude (EVM) requirements is +25 dBm with a peak PAE of 13% (PAE is 6% at 12 dB back-off). Instead of using a bulky A/4 transmission line, a passive impedance inverter is implemented as a compact lumped-element network. All circuit components are fully integrated on a single CMOS die except for an off-chip capacitor for output matching and baluns. The die size is 2.8 x 3.2 mm2 including all pads and bypass capacitors.

Titel:	A +31.5 dBm CMOS RF doherty power amplifier for wireless communications
Autor/in / Beteiligte Person:	WONGKOMET, Naratip ; TEE, Luns ; GRAY, Paul R
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Quelle:	2006 IEEE International Solid-State Circuits ConferenceIEEE journal of solid-state circuits 41(12):2852-2859
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2006
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 15 ref
ISSN:	0018-9200 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Appareillage électronique et fabrication. Composants passifs, circuits imprimés, connectique Electronic equipment and fabrication. Passive components, printed wiring boards, connectics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs diélectriques et dispositifs à base de verre et de solides amorphes Dielectric, amorphous and glass solid devices Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Amplificateur différentiel Differential amplifier Amplificador diferencial Amplificateur puissance Power amplifier Amplificador potencia Amplificateur radiofréquence Radiofrequency amplifiers Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Circuit intégré radiofréquence Radiofrequency integrated circuits Circuit paramètre localisé Lumped parameter circuit Circuito parámetro localizado Conception compacte Compact design Concepción compacta Condensateur Capacitor Condensador Convertisseur signal Signal converter Convertidor señal Energie pointe Peak power Energía punta Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Impédance Impedance Impedancia Ligne transmission Transmission line Línea transmisión Matrice formage Die Matriz formadora Modulation déplacement minimum Minimum shift keying Modulación desplazamiento mínimo Onduleur Inverter Ondulador Prototype Prototipo Puissance sortie Output power Potencia salida Signal entrée Input signal Señal entrada Signal modulé Modulated signal Señal modulada Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transformateur symétrisation Balun Transformador simetrización CMOS RF Doherty amplifier power amplifier wireless communication
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Marvell Semiconductor, Santa Clara, CA 95054, United States ; Department of Electrical Engineering and Computer Sciences. University of California at Berkeley, Berkeley, CA 94720, United States Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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A +31.5 dBm CMOS RF doherty power amplifier for wireless communications