Einzeltreffer — DigiBib

From our previous experimental study of the Si chemical vapor deposition in Si2Cl6-H2 system, the following elementary reaction mechanism was proposed: decomposition of Si2Cl6 to produce SiCl2, which becomes the adsorbent: Si2Cl6(g)→2SiCl3(g)→SiCl4(g)+SiCl2(g)(→SiCl2(a)), and hydrogen reduction reaction of the absorbed SiCl2 to produce Si(s). The preliminary quantum chemistry study for this reaction mechanism has shown that the reaction is so infeasible that the above-mentioned elementary reaction mechanism is unreasonable. The most feasible and appropriate reaction mechanism has been shown as follows: (Step 1) Si2Cl6(g)→SiCl4(g)+SiCl2(g) (Step 2) SiCl2(g)+a→SiCl2(a) (Step 3) SiCl2(a)+H2(g)→SiCl(a)+2HCl(g) (Step 3-1) SiCl2(a)+H2(g)→Si-2HCl(a) (Step 3-2) Si-2HCl(a)→Si(a)+2HCl(g) where, a is the active site on silicon surface. On the assumption that step 3 is the rate-determining step, this elementary reaction mechanism can explain the experimental observation in the rate expression on the concentration dependence with respect to Si2Cl6 and H2.

Titel:	[Untitled]
Autor/in / Beteiligte Person:	SAITO, N ; FUWA, A
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Nippon Kinzoku Gakkaishi (1952), Jg. 63 (1999), Heft 3, S. 319-325
Veröffentlichung:	Sendai: Nippon Kinzoku Gakkai, 1999
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 21 ref
ISSN:	0021-4876 (print)
Schlagwort:	Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Couche mince Thin films Dépôt chimique phase vapeur CVD Etude théorique Theoretical study Hydrogène Hydrogen Mécanisme réaction Reaction mechanism Mecanismo reacción Méthode semiempirique Semiempirical method Método semiempírico Orbitale moléculaire Molecular orbital Orbital molecular Silicium chlorure Silicon chlorides
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: Japanese Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: Japanese Author Affiliations: Department of Material Science and Engineering, School of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo 169-0027, Japan Rights: Copyright 1999 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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