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Photoluminescence (PL) and photoreflectance (PR) measurements on nominally undoped and Ti-doped GaAs epilayers grown on GaAs substrates by liquid phase epitaxy have been carried out to investigate the dependence of the optical properties on the Ti doping concentration in the GaAs epilayers. As the Ti atomic mole fraction increases, the PL intensity corresponding to the excitons bound to neutral acceptors decreases, and the broadening parameter and the exciton energy obtained from the PR spectra increase. The variation of the PR broadening parameter is caused by the change in the surface states resulting from the Ti doping. Also, strong Burstein-Moss shifts are observed in Ti-doped GaAs epilayers. These results indicate that the PL intensity and the PR broadening parameter are affected significantly by a variation of the surface states resulting from the existence of the Ti interstitial impurities.

Titel:	The dependence of the optical properties on the Ti doping concentration in GaAs epilayers
Autor/in / Beteiligte Person:	WUI, Y. H ; KANG, T. W ; KIM, T. W
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Applied surface science, Jg. 148 (1999), Heft 1-2, S. 111-115
Veröffentlichung:	Amsterdam: Elsevier Science, 1999
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 27 ref
ISSN:	0169-4332 (print)
Schlagwort:	General chemistry, physical chemistry Chimie générale, chimie physique Crystallography Cristallographie cristallogenèse Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjects Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjets Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques) Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Structure et morphologie de couches minces Thin film structure and morphology Défauts et impuretés: dopage, implantation, distribution, concentration, etc Defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation Propriétés optiques des couches minces Optical properties of specific thin films Semiconducteurs iii-v Iii-v semiconductors III-V semiconductors Composé minéral Inorganic compounds Composé binaire Binary compounds Croissance film Film growth Dopage cristal Crystal doping Effet concentration Quantity ratio Epitaxie phase liquide LPE Etude expérimentale Experimental study Exciton Excitons Gallium arséniure Gallium arsenides Impureté interstitielle Interstitial impurities Impureza intersticial Matériau semiconducteur Semiconductor materials Photoluminescence Photoréflectance Photoreflectance As Ga GaAs:Ti
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Physics, Dongguk University, Seoul 100-715, Korea, Republic of ; Department of Physics, Kwangwoon University, 447-1 Wolgye-dong, Nowon-ku, Seoul 139-701, Korea, Republic of Rights: Copyright 1999 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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The dependence of the optical properties on the Ti doping concentration in GaAs epilayers