Study of plasma charging-induced white pixel defect increase in CMOS active pixel sensor

TOKASHIKI, Ken ; BAI, Keunhee ; et al.

In: Proceedings of the International Symposium on Dry Process (DPS 2005), Jeju, Korea, November 28-30, 2005Thin solid films 515(12):4864-4868; Jg. 515 (2007) 12, S. 4864-4868

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Wie komme ich dran?

Plasma process-induced white pixel defect (WPD) of CMOS active pixel sensor (APS) is studied for Si3N4 spacer etch back process by using a magnetically enhanced reactive ion etching (MERIE) system. WPD preferably takes place at the wafer edge region when the magnetized plasma is applied to Si3N4 etch. Plasma charging analysis reveals that the plasma charge-up characteristic is well matching the edge-intensive WPD generation, rather than the UV radiation. Plasma charging on APS transfer gate might lead to a gate leakage, which could play a role in generation of signal noise or WPD. In this article the WPD generation mechanism will be discussed from plasma charging point of view.

Titel:	Study of plasma charging-induced white pixel defect increase in CMOS active pixel sensor
Autor/in / Beteiligte Person:	TOKASHIKI, Ken ; BAI, Keunhee ; BAEK, Kyehyun ; KIM, Yongjin ; MIN, Gyungjin ; CHANGJIN, KANG ; CHO, Hanku ; MOON, Jootae
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the International Symposium on Dry Process (DPS 2005), Jeju, Korea, November 28-30, 2005Thin solid films 515(12):4864-4868; Jg. 515 (2007) 12, S. 4864-4868
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2007
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 16 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Generalites General Instruments, appareillage, composants et techniques communs à plusieurs branches de la physique et de l'astronomie Instruments, apparatus, components and techniques common to several branches of physics and astronomy Techniques et équipements généraux General equipment and techniques Capteurs (chimiques, optiques, électriques, de mouvement, de gaz, etc.); télédétection Sensors (chemical, optical, electrical, movement, gas, etc.); remote sensing Physique des gaz, des plasmas et des decharges electriques Physics of gases, plasmas and electric discharges Physique des plasmas et décharges électriques Physics of plasmas and electric discharges Applications des plasmas Plasma applications Gravure et nettoyage Etching and cleaning Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Dispositifs optoélectroniques Optoelectronic devices Cale espacement Spacer Calce espaciamiento Capteur mesure Measurement sensor Captador medida Electrode commande Gates Endommagement Damaging Deterioración Gravure ionique réactive Reactive ion etching Grabado iónico reactivo Gravure plasma Plasma etching Grabado plasma Pastille électronique Wafer Pastilla electrónica Photodétecteur Photodetector Fotodetector Silicium nitrure Silicon nitride Silicio nitruro 0707D 5277B 8560G Si3N4 CMOS APS plasma charging damage white pixel defect
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd., San #24 Nongseo-Ri, Giheung-Eup, Yongin-City, Gyeonggi-Do, 449-711, Korea, Republic of Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Metrology ; Physics of gases, plasmas and electric discharges

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