Fabrication of transparent p-n junction composed of heteroepitaxially grown p-Li0.15Ni0.85O and n-ZnO films for UV-detector applications

ZHUANG, L ; WONG, K. H

In: Applied physics. A, Materials science & processing (Print), Jg. 87 (2007), Heft 4, S. 787-791

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Thin films of high-quality p-type Li0.15Ni0.85O (LNO) and n-type ZnO were heteroepitaxially grown on MgO(111) substrate by pulsed laser deposition technique to form transparent wide bandgap heterojunctions. The epitaxial nature of this p-LNO/n-ZnO/MgO heterojunction was confirmed to be (111)LNO∥ (0001)ZnO∥ (11 1)MgO (out-of-plane) and (002)LNON∥(1002)ZnO∥ (002)MgO (in-plane) by X-ray diffraction. Optical transmittance spectrum and I-V characteristics were obtained at room temperature. The heterojunction exhibits reasonable optical transmittance of 50%-60% on average in the whole infrared and visible region, and highly asymmetric electrical rectification with a turn-on voltage of about 1.0V and a small leakage current. The highest photoresponsivity for a wavelength of 350 nm is 3.4 × 103 V/W when the junction is irradiated under 5 μW UV illumination. The spectral response peak is obtained in the UV region and a reasonable large responsivity is shown for this p-LNO/n-ZnO/MgO heterojunction, which suggests the possibility of an inexpensive transparent oxide UV detector in a wide variety of electronics applications.

Titel:	Fabrication of transparent p-n junction composed of heteroepitaxially grown p-Li0.15Ni0.85O and n-ZnO films for UV-detector applications
Autor/in / Beteiligte Person:	ZHUANG, L ; WONG, K. H
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Zeitschrift:	Applied physics. A, Materials science & processing (Print), Jg. 87 (2007), Heft 4, S. 787-791
Veröffentlichung:	Berlin: Springer, 2007
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 17 ref
ISSN:	0947-8396 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation Propriétés optiques des structures de basse dimensionnalité, mésoscopiques, des nanostructures et nanomatériaux Optical properties of low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale materials and structures Caractéristique courant tension IV characteristic Couche mince Thin films Courant fuite Leakage currents Diffraction RX XRD Dépôt laser pulsé Pulsed laser deposition Détecteur UV Ultraviolet detectors Effet rayonnement Radiation effects Effet redresseur Rectification Hétérostructure Heterostructures Jonction p n p n junctions Lithium oxyde Lithium oxides Nickel oxyde Nickel oxides Semiconducteur bande interdite large Wide band gap semiconductors Spectre absorption Absorption spectra Zinc oxyde Zinc oxides ZnO Time: 7867
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Applied Physics and Materials Research Centre, The Hong Kong Polytechnic University, Kowloon, Hong-Kong Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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