Passivation issues in active pixel CMOS image sensors

REGOLINI, J. L ; BENOIT, D ; et al.

In: 14TH Workshop on dielectrics in microelectronics (WoDiM 2006)Microelectronics and reliability 47(4-5):739-742; Jg. 47 (2007) 4-5, S. 739-742

Konferenz - print, 10 ref

Wie komme ich dran?

Most of the integrated circuit industry follows a final passivation process which consists of a low temperature passivation layer deposition and a thermal anneal. This two step process is particularly relevant in CMOS imagers where the dark current is a major issue. This work shows that passivation material plays an important role in the device performance. We measured H diffusion through the final silicon nitride layer and we compare these results with the material properties and passivation efficiency.

Titel:	Passivation issues in active pixel CMOS image sensors
Autor/in / Beteiligte Person:	REGOLINI, J. L ; BENOIT, D ; MORIN, P
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	14TH Workshop on dielectrics in microelectronics (WoDiM 2006)Microelectronics and reliability 47(4-5):739-742; Jg. 47 (2007) 4-5, S. 739-742
Veröffentlichung:	Oxford: Elsevier, 2007
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	0026-2714 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Matériaux Materials Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs à images Imaging devices Capteur image CMOS CMOS image sensors Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Courant obscurité Dark current Corriente obscuridad Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Passivation Pasivación Pixel intelligent Smart pixels Propriété matériau Properties of materials Propiedad material Recuit thermique Thermal annealing Recocido térmico
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: ST Microelectronics, 850, Rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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