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Hydrogenated diamond-like carbon (DLC:H) films were deposited on Si substrates by a methane (CH4)-argon (Ar) plasma enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) technique assisted by carbon (C) sputtering. The deposition rates of DLC:H films increased with increasing Ar gas flow rate under a CH4 gas flow rate, and saturated at large Ar gas flow rates. The dielectric constants varied from 2.2 εo on DLC:H films deposited without Ar gas flow to 6.3 εo on DLC:H films deposited with large Ar gas flow. The C - V curve for the sweep of bias voltages from positive to negative was positioned above that of the return sweep of bias voltages from negative to positive because electrons are injected from Si substrates to the surfaces of DLC:H films. The C - V curve on the returning bias voltage sweep approached that of the going bias voltage sweep accompanying to an increase in dielectric constant.

Titel:	Deposition of DLC:H films by C-sputtering assisted CH4-Ar PE-CVD technique
Autor/in / Beteiligte Person:	YOKOTA, K ; NAKATANI, T ; MIYASHITA, F
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	EPJ. Applied physics (Print), Jg. 39 (2007), Heft 1, S. 17-21
Veröffentlichung:	Les Ulis; Berlin: EDP Sciences, Springer, 2007
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 18 ref
ISSN:	1286-0042 (print)
Schlagwort:	Physics Physique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés et matériaux diélectriques, piézoélectriques et ferroélectriques Dielectrics, piezoelectrics, and ferroelectrics and their properties Couches minces diélectriques Dielectric thin films Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Matériaux particuliers Specific materials Fullerènes et matériaux apparentés; diamants, graphite Fullerenes and related materials; diamonds, graphite Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Argon Carbone adamantin Diamond-like carbon Constante diélectrique Permittivity Diamant Diamonds Dépôt chimique phase vapeur CVD Etude expérimentale Experimental study Matériau diélectrique Dielectric materials Méthane Methane Méthode PECVD PECVD Plasma 8105U 8115G Substrat Silicium Time: 7755
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Faculty of Engineering and HRC, Kansai University, Suita, Osaka, 564-8680, Japan ; Faculty of Informatics, Kansai University, Takatsuki, Osaka, 569-1095, Japan Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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Deposition of DLC:H films by C-sputtering assisted CH4-Ar PE-CVD technique