Einzeltreffer — DigiBib

This letter' presents a method to measure the Young's moduli of individual thin-film layers in a commercial integrated circuit (IC) foundry process. The method is based on measuring the resonance frequency of an array of micromachined cantilevers and using the presented optimization analysis to determine the elastic modulus of each layer. Arrays of cantilever test structures were fabricated in a commercial CMOS IC process and were released using XeF2 as a postprocessing etch. A piezoelectric transducer placed under the test chip was used to excite the cantilevers to resonance, and the resonance frequency was measured using a laser Doppler vibrometer. It is reported that excellent agreement for values of Young's modulus is observed for cantilevers between 200 and 400 μm in length, with average standard deviation being 4.07 GPa.

Titel:	Young's modulus measurements in standard IC CMOS processes using MEMS test structures
Autor/in / Beteiligte Person:	MARSHALL, Janet C ; HERMAN, David L ; VERNIER, P. Thomas ; DEVOE, Don L ; GAITAN, Michael
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 960-963
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2007
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 17 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Essais, mesure, bruit et fiabilité Testing, measurement, noise and reliability Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs à ondes acoustiques, piézoélectriques, piézorésistifs Acoustic wave devices, piezoelectric and piezoresistive devices Dispositifs micro- et nanoélectromécaniques (mems/nems) Micro- and nanoelectromechanical devices (mems/nems) Appareillage essai Testing equipment Aparato ensayo Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Contrainte résiduelle Residual stress Tensión residual Couche mince Thin film Capa fina Dispositif microélectromécanique Microelectromechanical device Dispositivo microelectromecánico Dopplérométrie laser Laser dopplerometry Dopplerometría laser Ecart type Standard deviation Desviación típica Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Fréquence résonance Resonance frequency Frecuencia resonancia Mesure optique Optical measurement Medida óptica Mesure épaisseur Thickness measurement Medición espesor Microusinage Micromachining Micromaquinado Module Young Young modulus Módulo Young Module élasticité Elastic modulus Módulo elasticidad Norme mesure Measurement standards Optimisation Optimization Optimización Poutre cantilever Cantilever beam Viga cantilever Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transducteur piézoélectrique Piezoelectric sensor Transductor piezoelectrico CMOS MEMS Young's modulus residual stress resonance test structures thickness measurements
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Semiconductor Electronics Division, National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States ; MOSIS Service, Information Sciences Institute, Viterbi School of Engineering, University of Southern California, Marina del Rey, CA 90292, United States ; University of Maryland, College Park, MD 20742, United States Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Young's modulus measurements in standard IC CMOS processes using MEMS test structures