CMOS inverter based on gate-all-around Silicon-Nanowire MOSFETs fabricated using Top-Down approach

RUSTAGI, S. C ; SINGH, N ; et al.

In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 1021-1024

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-This letter demonstrates, for the first time, the integration of gate-all-around (GAA) Si-nanowire transistors into CMOS inverters using top-down approach. With matching of the drive currents of n- and p-MOSFETs using different gate lengths to achieve symmetric pull-up and pull-down, sharp ON-OFF transitions with high voltage gains (e.g., ΔVOUT /A V IN up to ∼40 for VDD = 1.2 V) are obtained. The inverter maintains its good transfer characteristics and noise margins for wide range of VDD tested down to 0.4 V. Individual transistors show excellent subthreshold characteristics and drive currents. The results are discussed in light of the circuit performances reported for other advanced nonclassical device architectures such as FinFETs. The integration potential of GAA Si-nanowire transistors to realize CMOS-circuit functionality is thus demonstrated.

Titel:	CMOS inverter based on gate-all-around Silicon-Nanowire MOSFETs fabricated using Top-Down approach
Autor/in / Beteiligte Person:	RUSTAGI, S. C ; SINGH, N ; FANG, W. W ; BUDDHARAJU, K. D ; OMAMPULIYUR, S. R ; TEO, S. H. G ; TUNG, C. H ; LO, G. Q ; BALASUBRAMANIAN, N ; KWONG, D. L
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 1021-1024
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2007
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 21 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Appareillage électronique et fabrication. Composants passifs, circuits imprimés, connectique Electronic equipment and fabrication. Passive components, printed wiring boards, connectics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Caractéristique transfert Transfer characteristic Característica transferencia Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Gain Ganancia Haute tension High voltage Alta tensión Miniaturisation Miniaturization Miniaturización Nanofil Nanowires Onduleur Inverter Ondulador Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie autoalignée Self aligned technology Tecnología rejilla autoalineada Transistor GAA GAA transistor Transistor MOSFET MOSFET Transistor grille double Dual gate transistor Transistor de compuerta doble CMOS-compatible gate-all-around (GAA) inverter nanowire top-down
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Microelectronics, Science Park II, Singapore 117685, Singapore ; Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore 117576, Singapore Rights: Copyright 2007 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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