An analytical model for a.c. transport in double-barrier heterojunction diodes
In: Solid-state electronics, Jg. 33 (1990), Heft 4, S. 401-405
academicJournal
- print, 30 ref
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Présentation d'un modèle analytique pour les phénomènes de transport AC en régime petit signal dans les diodes hétérojonction à double barrière (DBD). Il dépend de la méthode du transfert Hamiltonien modifiée pour les sytèmes avec potentiels harmoniques à effet tunnel.
Titel: |
An analytical model for a.c. transport in double-barrier heterojunction diodes
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Autor/in / Beteiligte Person: | LE COZ, Y. L ; LIU, H. C |
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Zeitschrift: | Solid-state electronics, Jg. 33 (1990), Heft 4, S. 401-405 |
Veröffentlichung: | Oxford: Elsevier Science, 1990 |
Medientyp: | academicJournal |
Umfang: | print, 30 ref |
ISSN: | 0038-1101 (print) |
Schlagwort: |
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