Einzeltreffer — DigiBib

-Monolithic integration of tensile-strained Si/ Germanium (Ge)-channel n-MOS and tensile-strained Ge p-MOS with ultrathin (equivalent oxide thickness ∼14Å) HfO2 gate dielectric and TaN gate stack on Si substrate is demonstrated. Defect-free Ge layer (279 nm) grown by ultrahigh vacuum chemical-vapor deposition is achieved using a two-step Ge-growth technique coupled with compliant Si/SiGe buffer layers. The epi-Ge layer experiences tensile strain of up to ∼0.67% and exhibits a peak hole mobility of 250 cm2 /V. s which is 100% higher than the universal Si hole mobility. The gate leakage current is two orders of magnitude lower compared to the reported results on Ge bulk.

Titel:	Tensile-strained germanium CMOS integration on silicon
Autor/in / Beteiligte Person:	ZANG, H ; LOH, W. Y ; YE, J. D ; LO, G. Q ; BYUNG JIN, CHO
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 12, S. 1117-1119
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2007
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 16 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Fabrication microélectronique (technologie des matériaux et des surfaces) Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Alliage semiconducteur Semiconductor alloys Circuit intégré monolithique Monolithic integrated circuit Circuito integrado monolítico Couche tampon Buffer layer Capa tampón Couche ultramince Ultrathin films Courant fuite Leakage current Corriente escape Courant grille Gate current Corriente rejilla Diélectrique permittivité élevée High k dielectric Dieléctrico alta constante dieléctrica Dépôt chimique phase vapeur Chemical vapor deposition Depósito químico fase vapor Dépôt sous vide Vacuum deposition Depósito bajo vacío Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Grille transistor Transistor gate Rejilla transistor Mobilité trou Hole mobility Movilidad agujero Multicouche Multiple layer Capa múltiple Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie PMOS PMOS technology Tecnología PMOS Transistor MOSFET MOSFET CMOS Germanium (Ge) HfO2 high-κ
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Microelectronics, Singapore 117685, Singapore ; Silicon Nano Device Laboratory, Department of Electrical, and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore 117576, Singapore ; Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon 305-701, Korea, Republic of Rights: Copyright 2008 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Tensile-strained germanium CMOS integration on silicon