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Preparation and properties of CaCu3Ti4O12 thin film grown on LaNiO3-coated silicon by sol-gel process

LI, Y. W ; HU, Z. G ; et al.
In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 2, S. 378-381
academicJournal - print, 17 ref

Titel:
Preparation and properties of CaCu3Ti4O12 thin film grown on LaNiO3-coated silicon by sol-gel process
Autor/in / Beteiligte Person: LI, Y. W ; HU, Z. G ; SUN, J. L ; MENG, X. J ; CHU, J. H
Link:
Zeitschrift: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 2, S. 378-381
Veröffentlichung: Amsterdam: Elsevier, 2008
Medientyp: academicJournal
Umfang: print, 17 ref
ISSN: 0022-0248 (print)
Schlagwort:
  • Crystallography
  • Cristallographie cristallogenèse
  • Geology
  • Géologie
  • Metallurgy, welding
  • Métallurgie, soudage
  • Sciences exactes et technologie
  • Exact sciences and technology
  • Physique
  • Physics
  • Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques
  • Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties
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  • Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties)
  • Structure et morphologie de couches minces
  • Thin film structure and morphology
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  • Structure and morphology; thickness
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  • Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties
  • Propriétés et matériaux diélectriques, piézoélectriques et ferroélectriques
  • Dielectrics, piezoelectrics, and ferroelectrics and their properties
  • Couches minces diélectriques
  • Dielectric thin films
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  • Cross-disciplinary physics: materials science; rheology
  • Science des matériaux
  • Materials science
  • Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie
  • Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy
  • Epitaxie en phase liquide; dépôt en phase liquide (phases fondues, solutions et couches superficielles sur des liquides)
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  • Platine
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  • Polycristal
  • Polycrystals
  • Procédé sol gel
  • Sol-gel process
  • Relaxation
  • 6855J
  • 8115L
  • CaCu3Ti4O12
  • Pt
  • Si
  • Substrat LaNiO3
  • Substrat Si
  • 77.22.Ch; 77.22.Gm; 77.55.+f
  • A3. Polycrystalline deposition; B1. Perovskites; B1. Titanium compounds; B2. Dielectric materials
  • Time: 7755
Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: PASCAL Archive
  • Sprachen: English
  • Original Material: INIST-CNRS
  • Document Type: Article
  • File Description: text
  • Language: English
  • Author Affiliations: Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200062, China ; National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China
  • Rights: Copyright 2008 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
  • Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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