Einzeltreffer — DigiBib

A single-ended to differential low-power low-noise amplifier (LNA) designed and implemented in 0.18 μm CMOS technology is presented. The device takes advantadge of a current reuse strategy by stacking two common-source differential transistor pair stages for minimum current dissipation, together with the design of optimised high Q differential transformers and inductors in order to minimise the impact of parasitics. The fully integrated, including ESD protection diodes, 2.1 GHz LNA consumes 1.1 mW at 1.2 V supply voltage and presents 29.8 dB gain, 4.5 dB noise figure, -21.1 dBm 1 dB compression point, -11.6 dBm input third-order intercept point and -12.3dB input retum loss performance.

Titel:	Low-power single-to-differential LNA at S-band based on optimised transformer topology and integrated ESD
Autor/in / Beteiligte Person:	GIL, I ; CAIRO, I ; SIEIRO, J. J
Link:	Full Text Finder (Volltext) View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Electronics Letters, Jg. 44 (2008), Heft 3, S. 198-199
Veröffentlichung:	London: Institution of Electrical Engineers, 2008
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 5 ref
ISSN:	0013-5194 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs magnétiques Magnetic devices Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Amplificateur différentiel Differential amplifier Amplificador diferencial Amplificateur faible bruit Low noise amplifier Amplificador bajo ruido Bande S S band Banda S Bobine inductance Inductor Bobina inductancia Circuit différentiel Differential circuit Circuito diferencial Dispositif protection Protective device Dispositivo protección Décharge électrostatique Electrostatic discharge Electronique faible puissance Low-power electronics Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Facteur qualité élevé High Q factor Factor alta calidad Figure bruit Noise figure Figura ruido Gain Ganancia Hyperfréquence Microwave Hiperfrecuencia Montage source commune Common source configuration Configuración de surtidor común Optimisation Optimization Optimización Ordre 3 Third order Orden 3 Réutilisation Reuse Reutilización Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transformateur Electric transformer Transformador eléctrico Transistor Point d'interception Intercept point
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: EPSON Europe Electronics, Barcelona R&D Laboratory Avda., Alcalde Barnils, 64-68, 08190 Sant Cugat del Vallès, Barcelona, Spain ; Departament d'Electrònica, Universitat de Barcelona, 08028 Marti i Franquès 1, planta 2, Spain Rights: Copyright 2008 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Low-power single-to-differential LNA at S-band based on optimised transformer topology and integrated ESD