Einzeltreffer — DigiBib

We report studies on a nanoscale resistance switching memory structure based on planar silicon that is fully compatible with CMOS technology in terms of both materials and processing techniques employed. These two-terminal resistance switching devices show excellent scaling potential well beyond 10 Gb/cm2 and exhibit high yield (99%), fast programming speed (5 ns), high on/off ratio (103), long endurance (106), retention time (5 months), and multibit capability. These key performance metrics compare favorably with other emerging nonvolatile memory techniques. Furthermore, both diode-like (rectifying) and resistor-like (nonrectifying) behaviors can be obtained in the device switching characteristics in a controlled fashion. These results suggest that the CMOS compatible, nanoscale Si-based resistance switching devices may be well suited for ultrahigh-density memory applications.

Titel:	CMOS Compatible Nanoscale Nonvolatile Resistance Switching Memory
Autor/in / Beteiligte Person:	SUNG HYUN, JO ; WEI, LU
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Nano letters (Print), Jg. 8 (2008), Heft 2, S. 392-397
Veröffentlichung:	Washington, DC: American Chemical Society, 2008
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 29 ref
ISSN:	1530-6984 (print)
Schlagwort:	General chemistry, physical chemistry Chimie générale, chimie physique Crystallography Cristallographie cristallogenèse Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjects Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjets Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques) Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Structures de basse dimensionnalité (superréseaux, puits quantiques, multicouches): structure et propriétés non électroniques Low-dimensional structures (superlattices, quantum well structures, multilayers): structure, and nonelectronic properties Sciences appliquees Applied sciences Electronique Electronics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Dispositifs optoélectroniques Optoelectronic devices Electronique moléculaire, nanoélectronique Molecular electronics, nanoelectronics Commutation Switching Conmutación Diode Diodo Echelle nanométrique Nanometer scale Effet redresseur Rectifier effect Efecto rectificador Loi échelle Scaling law Ley escala Mémoire non volatile Non volatile memory Memoria no volátil Nanostructure Nanoestructura Nanotechnologie Nanotechnology Nanotecnología Nanoélectronique Nanoelectronics Nanoelectrónica Photodétecteur Photodetector Fotodetector Résistance électrique Resistor Resistencia eléctrica(componente) Silicium Silicon Silicio Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Traitement matériau Material processing Tratamiento material 8560G Si Time: 6865 8535
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electrical Engineering and Computer Science, the University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, United States Rights: Copyright 2008 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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CMOS Compatible Nanoscale Nonvolatile Resistance Switching Memory