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Ba(Zr0.20Ti0.80)O3 (BZT) thin films were deposited on Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100), LaNiO3 (LNO) and CeO2-buffered Pt(111)/Ti/SiO2/ Si(100) substrates by sol-gel process. The BZT thin films directly grown on Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100) substrates exhibited highly (111) preferred orientation, while the films deposited on Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100) substrates with LNO and CeO2 buffer layers showed, respectively, highly (100) and (1 1 0) preferred orientation. At 1 MHz, the dielectric constants were 416, 465 and 245 for the BZT thin films grown on Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100), LNO and CeO2-buffered Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100) substrates, respectively. The difference in dielectric properties of these three kinds of BZT films may be attributed to the different grain sizes and various orientations.

Titel:	Effects of buffer layers on the orientation and dielectric properties of Ba(Zr0.20Ti0.80)O3 thin films prepared by sol-gel method
Autor/in / Beteiligte Person:	GAO, L. N ; SONG, S. N ; ZHAI, J. W ; YAO, X ; XU, Z. K
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 6, S. 1245-1249
Veröffentlichung:	Amsterdam: Elsevier, 2008
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 36 ref
ISSN:	0022-0248 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Geology Géologie Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés et matériaux diélectriques, piézoélectriques et ferroélectriques Dielectrics, piezoelectrics, and ferroelectrics and their properties Couches minces diélectriques Dielectric thin films Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de croissance cristalline; physique de la croissance cristalline Methods of crystal growth; physics of crystal growth Croissance en solution Growth from solutions Baryum Zirconate Titanate Barium Zirconates Titanates Constante diélectrique Permittivity Couche mince diélectrique Couche mince Thin films Couche tampon Buffer layer Capa tampón Croissance cristalline en solution Crystal growth from solutions Diffraction RX XRD Grosseur grain Grain size Orientation préférentielle Preferred orientation Orientación preferencial Oxyde de cérium Cerium oxide Cerio óxido Oxyde de lanthane Lanthanum oxide Lantano óxido Oxyde de nickel Nickel oxide Níquel óxido Procédé sol gel Sol-gel process Propriété diélectrique Dielectric properties Structure cristalline Crystal structure Titane Titanium 8110D Ba(Zr0.20Ti0.80)O3 CeO2 LaNiO3 Substrat SiO2 Substrat platine Zirconotitanate de baryum Barium zirconate titanate 77.80.-e; 77.84.Dy; 81.20.Fw; 85.50.-n A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; B1. Oxides; B2. Ferroelectric materials Time: 7755
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Functional Materials Research Laboratory, Tongji University, 1239 Siping Road, Shanghai 200092, China ; Department of Physics and Materials Science, City University of Hong Kong, Kowloon, Hong-Kong Rights: Copyright 2008 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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Effects of buffer layers on the orientation and dielectric properties of Ba(Zr0.20Ti0.80)O3 thin films prepared by sol-gel method