Einzeltreffer — DigiBib

We proposed a new non-planar disposable SiGe dot (d-Dot) MOSFET based on Si-on-nothing technology. The new device concepts' relies on self-assembled single-crystalline d-Dot. The d-Dot MOSFET is prone to a particularly high strain/stress from the underlaying SiGe 3D islands. We show that more than 50% higher mobilities of electrons can be obtained as indicated by 3D simulations performed throughout the entire fabrication process. Then, fully-depleted SOI MOSFET and d-Dot MOSFET are compared in term of short channel effects, parasitic capacitance effects and self-heating effects.

Titel:	Modeling of strained CMOS on disposable SiGe dots : Shape impacts on electrical/thermal characteristics
Autor/in / Beteiligte Person:	FRDGONBSE, Sébastien ; YAN, ZHUANG ; BURGHARTZ, Joachim N
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 6, S. 919-925
Veröffentlichung:	Oxford: Elsevier Science, 2008
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 13 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Alliage Ge Si Ge-Si alloys Alliage binaire Binary alloy Aleación binaria Alliage semiconducteur Semiconductor alloys Autoassemblage Self assembly Autoensamble Autoéchauffement Self heating Autocalentamiento Canal court Short channel Canal corto Capacité parasite Spurious capacity Capacidad parásita Caractéristique thermique Thermal characteristic Característica térmica Caractéristique électrique Electrical characteristic Característica eléctrica Comportement parasite Parasitic behavior Conducta parásito Comportement thermique Thermal behavior Comportamiento térmico Couche appauvrissement Depletion layer Capa empobrecimiento Modélisation Modeling Modelización Procédé fabrication Manufacturing process Procedimiento fabricación Silicium Silicon Silicio Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie planaire Planar technology Tecnología planar Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOSFET MOSFET Transistor effet champ Field effect transistor Transistor efecto campo Si SiGe MOS Self-heating Short channel effect Strain Stress d-DOT FET
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: The Delft Institute of Microelectronics and Submicron-Technology, Technical University of Delft, 2600 A A Delft, Netherlands ; The Institut für Mikroelektronik Stuttgart (IMS), 70569 Stuttgart, Germany ; The Institute of Nano-and Microelectronic Systems. University of Stuttgart, 70569 Stuttgart, Germany Rights: Copyright 2008 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Modeling of strained CMOS on disposable SiGe dots : Shape impacts on electrical/thermal characteristics