Einzeltreffer — DigiBib

-We experimentally demonstrate and characterize a vertical (current flow that is perpendicular to the wafer) source (bottom)/drain (top) double-gate capacitorless single-transistor DRAM on a bulk silicon wafer. We have electrically measured retention times in excess of 25 ms. Device fabrication was facilitated by several key process innovations, which allow the device to also be integrated with planar devices using minimal additional process steps. The structure results in a highly scalable DRAM down to 22-nm technology node.

Titel:	A Nanoscale Vertical Double-Gate Single-Transistor Capacitorless DRAM
Autor/in / Beteiligte Person:	GÜNHAN ERTOSUN, M ; CHO, Hoon ; KAPUR, Pawan ; SARASWAT, Krishna C
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 6, S. 615-617
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 13 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits intégrés par fonction (dont mémoires et processeurs) Integrated circuits by function (including memories and processors) Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Circuit sans condensateur Capacitor less circuit Circuito sin condensador Circuit à transistor unique Single transistor circuit Circuito de un solo transistor Corps flottant Floating body Cuerpo flotante Dispositif planaire Planar device Dispositivo planar Extensibilité Scalability Estensibilidad Facteur rétention Retention factor Factor retención Mémoire accès direct dynamique Dynamic random access memory Mémoire accès direct Random access memory Memoria acceso directo Pastille électronique Wafer Pastilla electrónica Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOSFET MOSFET Transistor grille double Dual gate transistor Transistor de compuerta doble -Double-gate (DG) MOSFETs DRAM floating- body DRAM fully depleted scaled CMOS thin-body SOI
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Center for Integrated Systems, Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA 94305, United States ; Intel Corporation, Santa Clara, CA 95053, United States Rights: Copyright 2008 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.

A Nanoscale Vertical Double-Gate Single-Transistor Capacitorless DRAM