Einzeltreffer — DigiBib

The carbon-to-silicon ratio influences the background doping level of silicon carbide grown by hot-wall chemical vapor deposition (HWCVD). A quadrupole mass spectrometer was used to measure the process composition in the exhaust stream of a HWCVD reactor. The 26 amu mass-to-charge acetylene peak showed the strongest dynamic response to intentional changes in the precursor partial pressure at growth temperature. Methane peaks showed a similar but weaker dynamic response. The acetylene peaks have a direct linear correlation to variations in the propane and silane precursors, and thus can be tracked to give real-time in situ measurement of changes in the C/Si ratio.

Titel:	Real-Time In Situ Tracking of Gas-Phase Carbon-to-Silicon Ratio During Hot-Wall CVD Growth of SiC
Autor/in / Beteiligte Person:	VANMIL, B. L ; LEW, K. K ; MYERS-WARD, R. L ; EDDY, C. R ; GASKILL, D. K
Link:	Volltext (PDF) View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Groups in Nitrides, SiC and ZnO, Jg. 37 (2008), Heft 5, S. 685-690
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	0361-5235 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Physique des gaz, des plasmas et des decharges electriques Physics of gases, plasmas and electric discharges Physique des plasmas et décharges électriques Physics of plasmas and electric discharges Méthodes et appareillage de diagnostic Plasma diagnostic techniques and instrumentation Méthodes utilisant des faisceaux de particules Particle measurements Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Acétylène Acetylene Carbone Carbon Carbure de silicium Silicon carbide Silicio carburo Diagnostic plasma Plasma diagnostics Dopage cristal Crystal doping Dépendance température Temperature dependence Dépôt chimique phase vapeur filament chaud Hot filament chemical vapor deposition Depósito químico fase vapor filamento caliente Dépôt chimique phase vapeur CVD Effet pression Pressure effects Mécanisme croissance Growth mechanism Mecanismo crecimiento Méthane Methane Méthode paroi chaude Hot wall growth Método pared caliente Phase gazeuse Gas phase Pistage Tracking Rastreo Pression partielle Partial pressure Précurseur Precursor Silane Silanes Silicium Silicon Spectrométrie masse Mass spectroscopy 5270N 8115G Si SiC C/Si ratio Mass spectrometry in situ monitoring
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Power Electronic Materials Section, Code 6882, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue, SW, Washington, DC 20375, United States Rights: Copyright 2008 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of gases, plasmas and electric discharges

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Real-Time In Situ Tracking of Gas-Phase Carbon-to-Silicon Ratio During Hot-Wall CVD Growth of SiC