Broadening of the absorption spectrum in a p-type InGaAs-InAlAs coupled quantum well

KYUNG HWAN, KIM ; SUNG JUNE, KIM

In: Semiconductor science and technology, Jg. 12 (1997), Heft 12, S. 1579-1582

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The intervalence subband absorption of normally incident infrared radiation in a p-type InGaAs-InAlAs coupled quantum well (CQW) is theoretically investigated by the multiband effective mass formalism. We calculate valence subband structures, intervalence subband transition matrix elements and the absorption coefficient spectrum in the CQW which consists of a wider well, a thinner well and a barrier between. We demonstrate that the absorption coefficient profile can be tailored to suit one's need by careful control of the flexible design parameters given to the valence band CQW structure. For the application to an infrared detector with a flat absorptivity over a wider wavelength range than the conventional detectors, the CQW is designed to have broadened absorption spectrum.

Titel:	Broadening of the absorption spectrum in a p-type InGaAs-InAlAs coupled quantum well
Autor/in / Beteiligte Person:	KYUNG HWAN, KIM ; SUNG JUNE, KIM
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Semiconductor science and technology, Jg. 12 (1997), Heft 12, S. 1579-1582
Veröffentlichung:	Bristol: Institute of Physics, 1997
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 19 ref
ISSN:	0268-1242 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation Spectres dans l'infrarouge et diffusion raman Infrared and raman spectra and scattering Semiconducteurs iii-v et ii-vi Iii-v and ii-vi semiconductors Propriétés optiques des couches minces Optical properties of specific thin films Semiconducteurs iii-v Iii-v semiconductors III-V and II-VI semiconductors III-V semiconductors Composé minéral Inorganic compounds Aluminium arséniure Aluminium arsenides Composé ternaire Ternary compounds Etude expérimentale Experimental study Etude théorique Theoretical study Gallium arséniure Gallium arsenides Indium arséniure Indium arsenides Largeur raie Line widths Modèle masse effective Effective mass model Modelo masa efectiva Puits quantique semiconducteur Semiconductor quantum wells Sous bande Subband Subbanda Spectre IR Infrared spectra Spectre absorption Absorption spectra Structure bande Band structure Transition interbande Interband transitions Transition niveau énergie Energy-level transitions Al As Ga AlGaAs As Ga In InGaAs
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: School of Electrical Engineering, Seoul National University, San 56-1, Shilim-dong, Kwanak-gu, Seoul, Korea, Republic of Rights: Copyright 1998 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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