Einzeltreffer — DigiBib

We provide the first report of the structural and electrical properties of TiN/ZrO2/Ti/Al metal―insulator―metal capacitor structures, where the Zr02 thin film (7―8 nm) is deposited by ALD using the new zirconium precursor ZrD-04, also known as Bis(methyleyclopentadienyl) methoxymethyl. Measured capacitance―voltage (C―V) and current―voltage (I―V) characteristics are reported for premetallization rapid thermal annealing (RTP) in N2 for 60 s at 400 °C, 500 °C, or 600 °C. For the RTP at 400 °C, we find very low leakage current densities on the order of nanoamperes per square centimeter at a gate voltage of 1 V and low capacitance equivalent thickness values of ∼0.9 nm at a gate voltage of 0 V. The dielectric constant of ZrO2 is 31 ± 2 after RTP treatment at 400 °C.

Titel:	TiN/ZrO2/Ti/Al Metal―Insulator―Metal Capacitors With Subnanometer CET Using ALD-Deposited Zr02 for DRAM Applications
Autor/in / Beteiligte Person:	MONAGHAN, S ; CHERKAOUI, K ; O'CONNOR, E ; DJARA, V ; HURLEY, P. K ; OBERBECK, L ; TOIS, E ; WILDE, L ; TEICHERT, S
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 3, S. 219-221
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 8 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Dispositifs à structure composée Compound structure devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits intégrés par fonction (dont mémoires et processeurs) Integrated circuits by function (including memories and processors) Dispositifs diélectriques et dispositifs à base de verre et de solides amorphes Dielectric, amorphous and glass solid devices Capacité électrique Capacitance Capacitancia Caractéristique capacité tension Voltage capacity curve Característica capacidad tensión Caractéristique courant tension Voltage current curve Característica corriente tensión Caractéristique électrique Electrical characteristic Característica eléctrica Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Condensateur Capacitor Condensador Constante diélectrique efficace Effective dielectric constant Constante dieléctrica efectiva Constante diélectrique Permittivity Constante dieléctrica Couche mince Thin film Capa fina Courant fuite Leakage current Corriente escape Densité courant Current density Densidad corriente Dispositif MIM MIM devices Diélectrique permittivité élevée High k dielectric Dieléctrico alta constante dieléctrica Grille transistor Transistor gate Rejilla transistor Mémoire accès direct dynamique Dynamic random access memory Mémoire accès direct Random access memory Memoria acceso directo Méthode couche atomique Atomic layer method Método capa atómica Oxyde grille Gate oxide Oxido rejilla Recuit thermique rapide Rapid thermal annealing Recocido térmico rápido Structure MIM MIM structure Estructura MIM Tension de grille Gate voltage Voltaje de rejilla Traitement thermique rapide Rapid thermal processing Nanoampère Nanoampere ALD ZrD-04 ZrO2 capacitor dynamic random access memory (DRAM) effective dielectric constant gate oxide high-k, metal―insulator―metal (MIM)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Tyndall National Institute, University College Cork, Cork, Ireland ; Qimonda Dresden GmbH & Co. OHG, 01079 Dresden, Germany ; ASM Microchemistry Ltd., 00560 Helsinki, Finland ; Fraunhofer Center for Nanoelectronic Technologies, 01099 Dresden, Germany Rights: Copyright 2009 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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TiN/ZrO2/Ti/Al Metal―Insulator―Metal Capacitors With Subnanometer CET Using ALD-Deposited Zr02 for DRAM Applications