Einzeltreffer — DigiBib

In this letter, the design and measurement of the first SiGe integrated-circuit LNA specifically designed for operation at cryogenic temperatures is presented. At room temperature, the circuit provides greater than 25.8 dB of gain with an average noise temperature (Te) of 76 K (NF = 1 dB) and S11 of -9 dB for frequencies in the 0.1-5 GHz band. At 15 K, the amplifier has greater than 29.6 dB of gain with an average Te of 4.3 K and S11 of -14.6 dB for frequencies in the 0.1-5 GHz range. To the authors' knowledge, this is the lowest noise ever reported for a silicon integrated circuit operating in the low microwave range and the first matched wideband cryogenic integrated circuit LNA that covers frequencies as low as 0.1 GHz.

Titel:	A 0.1-5 GHz Cryogenic SiGe MMIC LNA
Autor/in / Beteiligte Person:	BARDIN, Joseph C ; WEINREB, Sander
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE microwave and wireless components letters, Jg. 19 (2009), Heft 6, S. 407-409
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 8 ref
ISSN:	1531-1309 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Circuits hyperfréquences, circuits intégrés hyperfréquences, lignes de transmission hyperfréquences, circuits à ondes submillimétriques Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits Alliage semiconducteur Semiconductor alloys Amplificateur faible bruit Low noise amplifier Amplificador bajo ruido Basse température Low temperature Baja temperatura Circuit MMIC MMIC Circuit cryogénique Cryogenic circuit Circuito criogénico Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Conception circuit Circuit design Diseño circuito Cryogénie Cryogenics Criogenia Domaine fréquence GHz GHz range Gain Ganancia Large bande Wide band Banda ancha Technologie BiCMOS BiCMOS technology Tecnología BiCMOS Température ambiante Room temperature Temperatura ambiente Température bruit Noise temperature Temperatura ruido Température cryogénique Cryogenic temperature Temperatura criogénica Transistor bipolaire hétérojonction Heterojunction bipolar transistors BiCMOS SiGe cryogenic heterojunction bipolar transistors (HBT) integrated circuit (IC) low temperature low-noise amplifier (LNA) noise
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: California Institute of Technology, Pasadena, CA 91125, United States Rights: Copyright 2009 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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A 0.1-5 GHz Cryogenic SiGe MMIC LNA