Einzeltreffer — DigiBib

This work proposes a new gateless one-time programmable (OTP) cell. This gateless OTP cell has a parasitic oxide-nitride-oxide (ONO) structure as the storage node and is successfully demonstrated in a 45 nm CMOS logic process. This gateless OTP cell, formed in a pure logic process and decoupled from gate oxide, is highly stable with a five orders of on/off current window. It also exhibits superior program performance, with an operating voltage of only 5 V and at a programming current of no more than 10 μA. Unlike breakdown-based anti-fuses, electron trapping of the gateless OTP cell demonstrates repeatability for testing. The gateless OTP can be UV-erased and is stable over 10 P/E cycles. An electrical erase mechanism with limited performance is also characterized and discussed. This new nitride gateless anti-fuse cell is a very promising logic OTP solution that provides fully compatibility to CMOS process below the 90 nm node.

Titel:	A study of gateless OTP cell using a 45 nm CMOS compatible process
Autor/in / Beteiligte Person:	TSAI, Yi-Hung ; LIN, Kai-Chun ; CHIU, Hsin-Yi ; SHIH, Hung-Sheng ; KING, Ya-Chin ; CHRONG JUNG, LIN
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 10, S. 1092-1098
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2009
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 28 ref
ISSN:	0038-1101 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits intégrés par fonction (dont mémoires et processeurs) Integrated circuits by function (including memories and processors) Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Circuits numériques Digital circuits Canal p p channel Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Circuit logique CMOS CMOS logic circuits Effacement Erasure Borradura Endommagement Damaging Deterioración Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Grille transistor Transistor gate Rejilla transistor Miniaturisation Miniaturization Miniaturización Mémoire non volatile Non volatile memory Memoria no volátil Oxyde grille Gate oxide Oxido rejilla Piégeage porteur charge Charge carrier trapping Captura portador carga Répétabilité Repeatability Repetibilidad Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Anti fusible Antifuse Logic-compatible Non-volatile memory OTP p-Channel
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Electronics Engineering, National Tsing-Hua University, Hsin-Chu 300, Tawain, Province of China Rights: Copyright 2009 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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A study of gateless OTP cell using a 45 nm CMOS compatible process