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Pb0.5Sr0.5TiO3 thin films were prepared on Pt/TiO2/SiO2/Si and LaNiO3 (LNO)/Si substrates by using chemical solution deposition technique, and a layer-by-layer annealing method was used in an attempt to improve the dielectric properties of the thin films. The structure, dielectric, and ferroelectric properties of the thin films were investigated. Improved dielectric properties of the thin films were clearly confirmed: the dielectric constant and dielectric loss for the films on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates annealed at 650°C were 1064 and 0.027, respectively, at 1 kHz, with a dielectric tunability of more than 50%; similarly, the films prepared on LNO/Si substrates, showed a high dielectric constant of 1280 and a low dielectric loss of 0.023, at 1 kHz. P-E hysteresis loop measurements indicated that the remanent polarization and coercive field for the films on Pt/ TiO2/SiO2/Si substrates annealed at 650°C were 15.7 μC/cm2 and 51 kV/cm, respectively.

Titel:	Improved dielectric properties of chemical solution derived Pb0.5Sr0.5TiO3 thin films by a layer-by-layer annealing method
Autor/in / Beteiligte Person:	TONG, LIANG ; KAIBIN, RUAN ; TING, LI ; XINMAN, CHEN ; DINGHUA, BAO
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Thin solid films, Jg. 517 (2009), Heft 24, S. 6689-6693
Veröffentlichung:	Amsterdam: Elsevier, 2009
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 21 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques) Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Structure et morphologie de couches minces Thin film structure and morphology Composition et identification des phases Composition and phase identification Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de croissance cristalline; physique de la croissance cristalline Methods of crystal growth; physics of crystal growth Croissance en solution Growth from solutions Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Epitaxie en phase liquide; dépôt en phase liquide (phases fondues, solutions et couches superficielles sur des liquides) Liquid phase epitaxy; deposition from liquid phases (melts, solutions, and surface layers on liquids) Champ coercitif Coercive force Campo coercitivo Constante diélectrique Permittivity Couche mince Thin films Croissance cristalline en solution Crystal growth from solutions Cycle hystérésis Hysteresis loop Ciclo histéresis Diffraction RX XRD Diélectrique permittivité élevée High k dielectric Dieléctrico alta constante dieléctrica Dépôt phase liquide Liquid phase deposition Ferroélectrique Ferroelectric materials Material ferroeléctrico Force coercitive Oxyde de silicium Silicon oxides Oxyde de titane Titanium oxide Titanio óxido Perte diélectrique Dielectric losses Propriété chimique Chemical properties Propriété diélectrique Dielectric properties Recuit Annealing Silicium Silicon Solution chimique Chemical solution Solución química Titanate Titanates 6855N 8110D 8115L Si SiO2 Substrat LaNiO3 Substrat silicium TiO2 Chemical solution deposition Ferroelectric properties Tunability X-ray diffraction
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: State Key laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China Rights: Copyright 2009 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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Improved dielectric properties of chemical solution derived Pb0.5Sr0.5TiO3 thin films by a layer-by-layer annealing method