A wideband 27-dBm CMOS T/R switch using stacking architecture, high substrate isolation and RF floated body

CHU, Chun-Hsueh ; LIN, Yih-Hsia ; et al.

In: International journal of electronics, Jg. 96 (2009), Heft 9-10, S. 989-1003

academicJournal - print, 1 p

This article presents comprehensive methods for the design of a wideband CMOS transmit/receive (T/R) switch. Techniques such as RF floated body to extend the bandwidth and decrease the insertion loss (IL), and stacking architecture with high substrate isolation to enhance the power-handling capability, are used for the design of a T/R switch on a standard 0.18-μm triple-well process. The measured performance of the T/R switch demonstrates the effectiveness of the methods presented in this article such that IL less than 1.28 dB, isolation higher than 24 dB, and input 1 dB compression point of 27 dBm can be achieved from 2 to 5.8 GHz.

Titel:	A wideband 27-dBm CMOS T/R switch using stacking architecture, high substrate isolation and RF floated body
Autor/in / Beteiligte Person:	CHU, Chun-Hsueh ; LIN, Yih-Hsia ; CHANG, Da-Chiang ; JENG, GONG ; JUANG, Ying-Zong
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	International journal of electronics, Jg. 96 (2009), Heft 9-10, S. 989-1003
Veröffentlichung:	Abingdon: Taylor & Francis, 2009
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 1 p
ISSN:	0020-7217 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Circuits de commutation, de multiplexage, à capacités commutées Switching, multiplexing, switched capacity circuits Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Circuit intégré radiofréquence Radiofrequency integrated circuits Commutateur Selector switch Conmutador Empilement Stacking Apilamiento Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Perte insertion Insertion loss Pérdida inserción Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario RF CMOS T/R switch floated body stacking architecture substrate isolation transmit/receive switch
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Tawain, Province of China ; Department of Electronic Engineering, Ming Chuan University, Taoyuan County, Tawain, Province of China ; National Chip Implementation Center, National Applied Research Laboratories, Hsinchu, Tawain, Province of China Rights: Copyright 2009 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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