Einzeltreffer — DigiBib

We present new data and a compact mobility model for semiconducting single-wall carbon nanotubes, with only two adjustable parameters, the elastic and inelastic collision mean free paths at 300 K. The mobility increases with diameter, decreases with temperature, and has a more complex dependence on charge density. The model and data suggest that the room temperature mobility does not exceed 10 000 cm2/V · s at high carrier density (n > 0.5 nm-1) for typical single-wall nanotube diameters, due to the strong scattering effect of the second subband.

Titel:	Multiband Mobility in Semiconducting Carbon Nanotubes
Autor/in / Beteiligte Person:	YANG, ZHAO ; LIAO, Albert ; POP, Eric
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 10, S. 1078-1080
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 16 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Conception compacte Compact design Concepción compacta Densité charge Charge density Densidad carga Densité porteur charge Charge carrier density Concentración portador carga Densité élevée High density Densidad elevada Fluide magnétique Magnetic fluid Fluido magnético Inélasticité Inelasticity Inelasticidad Libre parcours moyen Mean free path Libre recorrido medio Modélisation Modeling Modelización Nanotube carbone Carbon nanotubes Nanotube monofeuillet Singlewalled nanotube Nanotubo pared única Sous bande Subband Subbanda Température ambiante Room temperature Temperatura ambiente Transistor Carbon nanotube (CNT) mean free path (MFP) mobility modeling transistor transport
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Micro and Nanotechnology Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, United States ; Micro and Nanotechnology Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, and the Beckman Institute for Advanced Science and Technology, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, United States Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.

Multiband Mobility in Semiconducting Carbon Nanotubes