Einzeltreffer — DigiBib

InAs0.05Sb0.95 film with thickness of 700 μm has been grown by a modified LPE technique, and optical properties of the material have been investigated using spectroscopic-ellipsometry at room temperature within 1.5-4.5 eV. The dielectric function ε(E) spectra that show high-lying interband structure associated with E1, E1+Δ1, and E2 transition have been observed and analyzed on the basis of a simplified model of the interband transitions. Results agree satisfactorily with the experimental data over the entire range of photon energies. The transition energies E1 and E2, the spin-orbit splitting energy Δ1, and the broadening parameters are given, respectively.

Titel:	Dielectric functions and the interband critical points of InAs0.05Sb0.95 film grown by a modified LPE technique
Autor/in / Beteiligte Person:	HU, S. H ; YU, G. L ; GE, J ; WANG, R ; SUN, Y ; WU, J ; WANG, Q. W ; DAI, N
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Physica. B, Condensed matter, Jg. 405 (2010), Heft 1, S. 227-230
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2010
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 17 ref
ISSN:	0921-4526 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation Propriétés optiques des matériaux massifs et des couches minces Optical properties of bulk materials and thin films Constantes optiques: indice de réfraction; constante diélectrique complexe; coefficients d'absorption, de réflexion et de transmission; émissivité Optical constants: refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity Antimoniure d'indium Indium antimonides Couche épaisse Thick films Décomposition niveau énergie Energy-level splitting Ellipsométrie spectroscopique Spectroscopic ellipsometry Elipsometría espectroscópica Epaisseur Thickness Epitaxie phase liquide LPE Fonction diélectrique Dielectric function Interaction spin orbite Spin-orbit interactions Point critique Critical points Transition dipolaire électrique E1-transitions Transition interbande Interband transitions Transition quadripolaire électrique E2-transitions 71.22.+i 78.66.Fd High-lying interband structure InAS0.05Sb0.95 film Modified LPE technique Spectroscopic-ellipsometry
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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Dielectric functions and the interband critical points of InAs0.05Sb0.95 film grown by a modified LPE technique