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2 mol% Mn doped Ba(Zr0.2Ti0.8)O3 (Mn-BZT) thin films were prepared by pulsed laser deposition (PLD) on single crystal oxide substrates LaAlO3(001) and MgO(001), with conductive oxide bottom electrodes LaNiO3 and Si-RuO3, respectively. Both the Mn-BZT films and the bottom electrode films could be c-axial oriented with a cube-on-cube arrangement on the corresponding substrates. The dielectric properties measured with parallel plate capacitor configurations of Au/Mn-BZT/LNO and Au/Mn-BZT/SRO revealed that the Mn-BZT film on LNO bottom electrode exhibited comparatively higher dielectric constant, larger dielectric tunability and lower dielectric loss than that on SRO. It could be mainly attributed to the better epitaxial growth characteristics and mismatch stress of Mn-BZT thin film on LNO, as well as less misfit dislocation and the better morphology of LNO bottom electrode.

Titel:	Effects of bottom electrodes on dielectric properties of epitaxial 2 % Mn doped Ba(Zr0.2Ti0.8)O3 thin films
Autor/in / Beteiligte Person:	JIE, W. J ; ZHANG, Y
Link:	Volltext (PDF) View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 21 (2010), Heft 2, S. 149-152
Veröffentlichung:	Norwell, MA: Springer, 2010
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 23 ref
ISSN:	0957-4522 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Propriétés et matériaux diélectriques, piézoélectriques et ferroélectriques Dielectrics, piezoelectrics, and ferroelectrics and their properties Propriétés diélectriques des solides et des liquides Dielectric properties of solids and liquids Permittivité (fonction diélectrique) Permittivity (dielectric function) Relaxation et pertes diélectriques Dielectric loss and relaxation Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt par faisceau laser Laser deposition Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Dispositifs diélectriques et dispositifs à base de verre et de solides amorphes Dielectric, amorphous and glass solid devices Addition manganèse Manganese additions Aluminate de lanthane Lanthanum aluminate Lantano aluminato Condensateur plaque parallèle Parallel plate capacitor Condensador placa paralela Constante diélectrique Permittivity Couche mince Thin films Dislocation interfaciale Misfit dislocations Dépôt laser pulsé Pulsed laser deposition Désadaptation Mismatching Desadaptación Effet contrainte Stress effects Epitaxie Epitaxy Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Microstructure Monocristal Monocrystals Oxyde de magnésium Magnesium oxide Magnesio óxido Oxyde de strontium Strontium oxide Estroncio óxido Perte diélectrique Dielectric losses Propriété diélectrique Dielectric properties Silicium Silicon 8115F 8540H LaAlO3 MgO Time: 6865
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, 621010 Mianyang, Sichuan, China ; State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, 610054 Chengdu, China Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics and materials science ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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Effects of bottom electrodes on dielectric properties of epitaxial 2 % Mn doped Ba(Zr0.2Ti0.8)O3 thin films