Einzeltreffer — DigiBib

We present a study of the effects of substrate orientation and longitudinal channel stress on the performance of extremely thin silicon-on-insulator (ETSOI) MOSFETs with gate lengths down to 25 nm. We find that short-channel electron and hole mobilities follow the long-channel mobility trends versus substrate orientation and longitudinal channel stress. We show that with respect to (100) silicon-on-insulator (SOI) substrates, short-channel ETSOI MOSFETs on (110) SOI substrates lead to 25 % enhancement of the p-channel FET drive current at the expense of 12% degradation of the n-channel FET drive current at a fixed OFF-current of 100 nA/μm and a supply voltage of 1 V. Finally, we estimate that an ETSOI complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) on (110) SOI substrates should lead to 10% faster ring oscillators compared with those on (100) SOI wafers, which also implies that (100)-oriented wafers with (110) sidewalls are a better choice for fabricating nonplanar FinFETs and trigate CMOS circuits.

Titel:	Effects of Substrate Orientation and Channel Stress on Short-Channel Thin SOI MOSFETs
Autor/in / Beteiligte Person:	MAJUMDAR, Amian ; OUYANG, Christine ; KOESTER, Steven J ; HAENSCH, Wilfried
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2067-2072
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 37 ref
ISSN:	0018-9383 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Oscillateurs, résonateurs, synthétiseurs Oscillators, resonators, synthetizers Canal court Short channel Canal corto Canal long Long channel Canal largo Canal n n channel Canal p p channel Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Couche appauvrissement Depletion layer Capa empobrecimiento Endommagement Damaging Deterioración Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Mobilité trou Hole mobility Movilidad agujero Mobilité électron Electron mobility Movilidad electrón Oscillateur anneau Ring oscillator Oscilador anillo Pastille électronique Wafer Pastilla electrónica Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie autoalignée Self aligned technology Tecnología rejilla autoalineada Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOS complémentaire Complementary MOS transistor Transistor MOS complementario Transistor MOSFET MOSFET Transistor effet champ Field effect transistor Transistor efecto campo Transistor grille double Dual gate transistor Transistor de compuerta doble Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (CMOSFETs) fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) mobility substrate
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: IBM Research Division, T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, United States ; Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455, United States Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Effects of Substrate Orientation and Channel Stress on Short-Channel Thin SOI MOSFETs