A De-Embedding Method Using Different-Length Transmission Lines for mm-Wave CMOS Device Modeling : Analog Circuits and Related SoC Integration Technologies

TAKAYAMA, Naoki ; MATSUSHITA, Kota ; et al.

In: IEICE transactions on electronics, Jg. 93 (2010), Heft 6, S. 812-819

academicJournal - print, 13 ref

This paper proposes a de-embedding method for on-chip S-parameter measurements at mm-wave frequency. The proposed method uses only two transmission lines with different length. In the proposed method, a parasitic-component model extracted from two transmission lines can be used for de-embedding for other-type DUTs like transistor, capacitor, inductor, etc. The experimental results show that the error in characteristic impedance between the different-length transmission lines is less than 0.7% above 40 GHz. The extracted pad model is also shown.

Titel:	A De-Embedding Method Using Different-Length Transmission Lines for mm-Wave CMOS Device Modeling : Analog Circuits and Related SoC Integration Technologies
Autor/in / Beteiligte Person:	TAKAYAMA, Naoki ; MATSUSHITA, Kota ; ITO, Shogo ; NING, LI ; BUNSEN, Keigo ; OKADA, Kenichi ; MATSUZAWA, Akira
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEICE transactions on electronics, Jg. 93 (2010), Heft 6, S. 812-819
Veröffentlichung:	Oxford: Oxford University Press, 2010
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 13 ref
ISSN:	0916-8524 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Appareillage électronique et fabrication. Composants passifs, circuits imprimés, connectique Electronic equipment and fabrication. Passive components, printed wiring boards, connectics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs diélectriques et dispositifs à base de verre et de solides amorphes Dielectric, amorphous and glass solid devices Bobine inductance Inductor Bobina inductancia Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Circuit intégré radiofréquence Radiofrequency integrated circuits Composant parasite Parasitic component Componente parásito Condensateur Capacitor Condensador Impédance caractéristique Characteristic impedance Impedancia característica Ligne transmission Transmission line Línea transmisión Modélisation Modeling Modelización Paramètre s s parameter Parámetro s Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transistor RF CMOS S-parameter measurement de-embedding mm-wave transmission line
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, 152-8552, Japan Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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