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A comparative study on gate leakage and performance of high-K nano-CMOS logic gates

KOUGIANOS, Elias ; MOHANTY, Saraju P
In: International journal of electronics, Jg. 97 (2010), Heft 9-10, S. 985-1005
academicJournal - print, 1 p.1/4

Titel:
A comparative study on gate leakage and performance of high-K nano-CMOS logic gates
Autor/in / Beteiligte Person: KOUGIANOS, Elias ; MOHANTY, Saraju P
Link:
Zeitschrift: International journal of electronics, Jg. 97 (2010), Heft 9-10, S. 985-1005
Veröffentlichung: Abingdon: Taylor & Francis, 2010
Medientyp: academicJournal
Umfang: print, 1 p.1/4
ISSN: 0020-7217 (print)
Schlagwort:
  • Electronics
  • Electronique
  • Telecommunications
  • Télécommunications
  • Sciences exactes et technologie
  • Exact sciences and technology
  • Sciences appliquees
  • Applied sciences
  • Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide
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Sonstiges:
  • Nachgewiesen in: PASCAL Archive
  • Sprachen: English
  • Original Material: INIST-CNRS
  • Document Type: Article
  • File Description: text
  • Language: English
  • Author Affiliations: Department of Electrical Engineering Technology, University of North Texas, United States ; Department of Computer Science and Engineering, University of North Texas, United States
  • Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
  • Notes: Electronics

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