Einzeltreffer — DigiBib

A new charge pump circuit has been proposed to suppress the return-back leakage current without suffering the gate-oxide reliability problem in low-voltage CMOS process. The four-phase clocks were used to control the charge-transfer devices turning on and turning off alternately to suppress the return-back leakage current. A test chip has been implemented in a 65-nm CMOS process to verify the proposed charge pump circuit with four pumping stages. The measured output voltage is around 8.8 V with 1.8-V supply voltage to drive a capacitive output load, which is better than the conventional charge pump circuit with the same pumping stages. By reducing the return-back leakage current and without suffering gate-oxide overstress problem, the new proposed charge pump circuit is suitable for applications in low-voltage CMOS IC products.

Titel:	Design to suppress return-back leakage current of charge pump circuit in low-voltage CMOS process
Autor/in / Beteiligte Person:	WENG, Yi-Hsin ; TSAI, Hui-Wen ; KER, Ming-Dou
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Microelectronics and reliability, Jg. 51 (2011), Heft 5, S. 871-878
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier, 2011
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 24 ref
ISSN:	0026-2714 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Convertisseurs de signal Signal convertors Basse tension Low voltage Baja tensión Charge capacitive Capacitive load Carga capacitiva Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Convertisseur tension Voltage converter Convertidor voltaje Courant fuite Leakage current Corriente escape Fiabilité Reliability Fiabilidad Grille transistor Transistor gate Rejilla transistor Horloge Clock Reloj Oxyde grille Gate oxide Oxido rejilla Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Tension sortie Output voltage Voltage salida Transfert charge Charge transfer Transferencia carga
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Nanoelectronics and Gigascale Systems Laboratory, Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu, Tawain, Province of China ; Dept. Of Electronic Engineering, I-Shou University, Kaohsiung, Tawain, Province of China Rights: Copyright 2015 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Design to suppress return-back leakage current of charge pump circuit in low-voltage CMOS process